硅片研磨表面状态的改善与研磨液的改进.pdf

制造技术 Manufacturiog1tchnology 硅片研磨表面状态的改善和研磨液的改进 张伟，周建伟，刘玉岭，刘承霖 (河北工业大学微电子研究所，天津30013n) 摘要：在硅片研磨过程中，由于应力的积累和剧烈的机械作用，硅片表面损伤严重，碎片率增加。 介绍了一种改进的研磨液，不但把剧烈的机械作用转变为比较缓和的化学．机械作用，还能起到其他较好的 辅助作用并对其各成分作用，进行了理论分析。硅片表面状态得到了一定程度的改善，提高了生产效率。 关键词：硅片；研磨：研磨液；应力 中图分类号：TN305．2文献标识码：A 文章编号：1003—353x(2006)10—0758·04 The ofWaferSurfaceConditionand ImproVement Polishing intheProcessofWafer Slurry Polishing ZHANGWei，ZHOUJian-wei，LIU Yu-ling，LIUCheng—lin (1ns“tHteM{croetectronicsHebciUntve 300、30，Chtna) of rs{tyofTechnology，Tinnjin Abstract：Inthe ofwafer wafersurfacecouldbe and process polishing，the damagedbadly ratewillincrease ofthe ofstressthe accumulationand mechanicalaction． fragment sharply，because Akindof isintroducedto thefiercemechanicalactionintothetenderchemi- polishingslurry change cal—mechanicalsome effectcanalsobemadeit．Thewafersurfacecondition action，and positiVe by is tosome lhe isjncreased． extent，and improVed productjonef疗cjency words：silicon Key slurry；stress wafer；polishing；polishing 洗，缺乏先进的技术指导，因此出现的问题更加严 1 引言 重…。硅片表面状态直接影响器件的线宽容量、工 在微电子工艺中，从半导体单晶硅的拉制、加 艺范围、产量和生产能力。特征尺寸的连续缩小对 工、到器件的制备，都会产生大量的应力；从硅 硅片表面质量的要求不断提高f3j。所以如何解决这 棒的拉制