第8节 89C51单片机的系统扩展.ppt

第8章 89C51单片机的系统扩展 8.1 程序存储器的扩展 8.2 数据存储器的扩展 8.3 89C51单片机片选方法简介 8.4 FLASH存储器的扩展 8.5 并行I/O接口的扩展 单片机内部的ROM﹑RAM容量﹑定时器﹑I/O接口和中断源等资源往往有限，在实际应用中通常不够用，因此需要对单片机的资源扩展。 首先需要扩展的是程序存储器和数据存储器。单片机内部虽有一定数量的存储器，但常常不能满足实际需要，因此要求从外部进行扩展。 其次需要扩展的是输入/输出接口。单片机的主要用途是控制，因此它必须与外部设备打交道，也就是说它需要与外部的输入输出设备连接。单片机内部虽然设置了4个并行I/O口，用来与外围设备连接，但当外围设备较多时，I/O口就显得不够用。在大多数情况下，89C51系列单片机都需要扩展输入输出接口。 8.1 程序存储器的扩展 8.1.1 程序存储器的分类 8.1.2 典型程序存储器芯片介绍 8.1.3 典型程序存储器的扩展方法 8.1.4 典型程序存储器扩展电路 8.1.1 程序存储器的分类 程序存储器ROM也称只读存储器。所谓只读存储器是指ROM中的信息，一旦写入以后，就不能随意更改，特别是不能在程序运行过程中再写入新的内容，只能在程序执行过程中读出其中的内容。 1、掩膜编程的ROM 其编程由半导体厂家完成，根据用户提出的存储内容决定MOS管的连接方式，把存储内容制作在芯片上，用户不能更改所存入的信息。 特点：适合于大批量生产，结构简单、集成度高。成本高，只有大量生产定型ROM时才合算。 可用来存储一些标准程序：监控程序、汇编程序、BASIC语言的解释程序等；也可用来存储数学用表（正弦函数表、平方根表等）、代码转换表、逻辑函数表等。 2、现场编程ROM（PROM） 也称可编程只读存储器PROM，指PROM的编程可在工作现场一次完成。出厂时并未存储任何信息，用户可根据自己的需要把信息写入，然后才能在系统中使用。但信息一旦写入，不能更改。 3、可改写、可编程ROM（EPROM） 用户对EPROM可自行写入信息，也可将信息全部擦去，重新写入。RPROM分为两种： 紫外线擦除— 称UVEPROM； 电擦除— 称EEPROM。 UVEPROM：用电信号编程，用紫外线擦除信息。 EEPROM ：用电信号编程，用电信号擦除信息。 4、Flash ROM 从EEPROM中分支出来，可电擦除，电写入，非易失性的闪速存储器。 8.1.2 典型程序存储器芯片介绍 1、2716RPROM存储器 2716是2K×8位紫外线擦除电可编程只读存储器。单一+5V供电，最大功耗25mW，维持功耗132mW，读出时间最大450ns，引脚见图8-1。 2716的5种工作方式见表8-1。 2、2732EPROM存储器 2732是4K×8紫外线擦除电可编程只读存储器。单一+5V供电，最大工作电流为100mA，维持电流为35mA，读出时间为250ns。引脚如图8-2。 2732的5种工作方式见表8-2。 3、2764EPROM存储器 2764是8K×8位紫外线擦除电可编程只读存储器，单一+5V供电，最大工作电流为75mA，维持电流为35mA，读出时间最大为250ns。引脚见图8-3。 2764A的5种工作方式见表8-3。 4、27128AEPROM存储器 27128A是16K×8位紫外线擦除电可编程只读存储器，单一+5V供电，工作电流最大为100mA，维持电流为40mA，读出时间最大为250ns。引脚见图8-4。 27128A的5种工作方式见表8-4。 5、27256EPROM存储器 27256是32K×8位紫外线擦除电可编程只读存储器，单一+5V供电，工作电流为100mA，维持电流为40mA，读出时间最大为250ns。引脚见图8-5。 6、并行EEPROM存储器2817A 2817A是新一代电擦除电可编程只读存储器，存储容量为2K×8位，采用单一+5V供电，工作电流为150mA，维持电流为55mA，读出时间最大为250ns。引脚见图8-6。 2817A的3种工作方式见表8-6。 7、并行EEPROM存储器2864A 2864A是8K×8位电擦除可编程只读存储器，最大工作电流160mA，维持电流为60mA，读出时间最大为250ns，片内有“页缓冲器”，允许快速写入,内部提供全部定时，给出查询标志。 2864A的4种工作方式见表8-7。 8.1.3 典型程序存储器的扩展方法 1、扩展一片EPROM 2、扩展两片EPROM 3．地址锁存器 在基本扩展电路中，都用到了地址锁存器。这是因为P0口是数据总线和低8位地址总线分时复用口