2 大功率IGBT芯片及器件关键技术研究及产业化项目 - 西安市科技局.DOC

附件1： 大功率IGBT芯片及器件关键技术研究及产业化 专题资金项目申报指南 是由西安市科技局和（简称）共同出资成立，用于的专题资金围绕以为核心的创新链，遴选前沿性、创新性和迫切需求研发项目予以支持，突破若干关键技术，实现一批重大科技成果产业化建立区域技术合作、技术转移及产学研协同创新环境，形成新的经济增长点。一、支持方向 （一）现有IGBT封装厂房，新增用贴膜、、划片测试等设备特定要求：项目负责人具有中级以上技术职称，熟悉本项目技术领域发展趋势博士研究生。特定要求：项目负责人具有中级以上技术职称，熟悉本项目技术领域发展趋势博士研究生。投入相关测试、分析设备搭建起面向客户的IGBT平台特定要求：项目负责人具有中级以上技术职称，熟悉本项目技术领域发展趋势博士研究生。特定要求：项目负责人具有中级以上技术职称，熟悉本项目技术领域发展趋势博士研究生。 (二)特定要求：项目负责人具有中级以上技术职称，熟悉本项目技术领域发展趋势博士研究生。现有IGBT封装厂房，新增DBC焊接、贴片、键合、注塑、成型、测试等工艺特定要求：项目负责人具有中级以上技术职称，熟悉本项目技术领域发展趋势博士研究生。 面向高校院所的产学研合作类 采用SiC功率器件开发电力电子变流器，能提高功率密度，缩小装置体积，提升变流器效率，提高开关频率，缩小滤波器体积。虽然SiC 功率器件已经在各个领域表现出优异的性能，但是SiC材料及器件仍是半导体业界中比较新的一个课题，存在着成本高、良品率低和系统应用等多方面的问题，需要进一步解决。从目前SiC相关工艺及器件发展状况来看，-5年之后SiC器件市场会有一个明显的突破。因此，利用自身在半导体功率器件和封装方面的优势开展SiC器件相关研究工作。努力在短时间内将SiC功率器件应用在轨道交通及其它电力电子系统中。具备3300V/50A 肖特基势垒二极管芯片设计能力 芯片特性 指标值 测试条件 反向耐压 VR 3300V 直流，Tj=25℃ 正向电流 IF 50A 直流，Tj=25℃ 正向压降VF ≤2.5V IF=50A，Tj=25℃ 反向漏电流IR ≤250μA VR=3300V，Tj=25℃ 工作温度范围 -55℃～175℃ 特定要求：项目负责人具有技术职称，熟悉本项目技术领域发展趋势博士研究生。研究具备Si-IGBT、SiC-MOSFET和SiC-SBD等电力电子器件研究基础SiC功率模块和Si/SiC混合IGBT模块设计经验的优先。已获得国家、省市、经开区等政府立项资助的项目及其主要研发内容不得重复申报。 IGBT芯片设计能力提升 项目内容：进行IGBT芯片研究，包括芯片结构设计、工艺设计、新工艺开发、特性测试及材料表征。提高公司IGBT芯片设计能力的同时寻找芯片设计及工艺过程中存在的问题，指导芯片设计生产。 目标：具备完整的IGBT芯片设计、研发平台，工艺开发能力能够满足芯片设计要求，能够依据芯片测试、分析结果指导芯片设计与生产。 发布对象：定向发布项目联合申报高校。 完成年限：2016年5-2017年12月。 特定要求：项目负责人具有中级以上技术职称，熟悉本项目技术领域发展趋势博士研究生。已获得国家、省市、经开区等政府立项资助的项目及其主要研发内容不得重复申报。特定要求：项目负责人具有中级以上技术职称，熟悉本项目技术领域发展趋势博士研究生。特定要求：项目负责人具有中级以上技术职称，熟悉本项目技术领域发展趋势博士研究生。三、?提交材料 1、项目申报纸制材料一式三份（含电子版）； 2、在申报材料规定的栏目中签字、盖章； 3、装订要求：申报材料统一用A4纸打印或复印，左侧简装。 4、申报资料一律不再退回5、申报提供的材料必须真实可靠。如发现弄虚作假，将不再受理该企业的申请。四、申报材料内容 1、项目申报书（模板下载地址）； 2、项目可行性研究报告（模板下载地址）； 3、营业执照、国地税登记证、201年度财务审计报告或财务报表（企业）； 4、证明项目现有技术水平的有关证明材料，包括科技成果鉴定报告、专利、检测报告、技术鉴定报告、用户使用报告等； 5、与项目有关的其它参考材料（如列入国家科技计划的有关批准文件、环保证明、奖励证明等）。 - 7 -