La掺杂对PZT薄膜光伏特性的影响.pdfVIP

第32 卷第2 期 红外与毫米波学报 Vo l. 32 , No.2 2013 年4 月 J. Infrared Millim. Waves April ,2013 文章编号:1∞1 -9014(2013 )02 -0128 -04 DOI: 10. 3724/SP. J. 1010.2013. ∞128 La 掺杂对 PZT 薄膜光伏特性的影晌 孙 倩1 ， 邓红梅2 ， 杨平雄1\ 裙君浩1 (1.华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室，上海 2∞241; 2. 上海大学材料研究所分析测试中心，上海 2∞444) 摘要:采用溶胶，凝胶法在 LNO/Si 衬底上制备了 (Pb1_x La ) (Zr . 52 Ti . ) l_xl403 (PLZT) 多品薄膜.XRD 图谱显示，通 x O o 48 过6∞℃的快速热退火过程制备出了同时具有三方相和四方相的 PLZT 薄膜，并且薄膜呈现(110) 品向择优生长; 拉曼图谱进一步证实了薄膜同时具有三方相和四方相;研究样品的电滞回线发现，随着La含量的减小，薄膜的电 滞回线不断宽化;同时，通过光伏效应测试得出结论，当La含量从 1% 增加到 6% 时，光生电压逐渐增大，并在 6% 时达到极大值，当La含量进一步增加时，光生电压反而随之减小. 关键词:溶胶-凝胶法;P臼r 薄膜;光伏效应 中固分类号:TB303 文献标识码:A The influence of La content on photovoltaic efTect of PZT thin films 1 2 1 1 SUN Qian , DENG Hong-Mei , YANG Ping-Xiong * , CHU Jun-Hao (1. Key Laboratory of Polar Materials and Devices , East China Normal Univers坷， Shanghai 2∞241 ; 2. Instrumental Analysis Research Center , Institute of Materials , Shanghai Univers坷， Shanghai 2∞割的 Abstract: The polycrystalline thin films of (Pb1_xLa ) (Zr . Ti . ) l-xl4 0 (PLZT) were fabricated on LNO/Si sub- x O 52 o 48 3 strates by soI-geI method. X-ray dif仕action showed that PLZT thin films in rhombohedral-tetragonal phase with a prefer- ential (110) orientation can be obtained after a rapid thermal annealing procωs at 6∞t.ηús is fu眈her confumed by Raman spec住um. With the decrease of La content ,