第3章 CMOS gates.ppt

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第3章 CMOS gates

3.7.4 TTL与或非门及异或门 1.TTL与或非门 2. TTL异或门 返回 CMOS、TTL逻辑门的区别 1. CMOS逻辑门的输入端不取电流; 2. TTL逻辑门的输入端吸收电流; 3. CMOS、 TTL Un-used Input pins Treating methods: ⑴.AND、NAND门不用输入端要接“1”(接电源)。 ⑵.OR、NOR门不用输入端要接“0”(接地)。 ⑶. CMOS不用输入端不能悬空。 ⑷. TTL Un-used Input pins悬空为高电平。 第三章 作业 3.1, 3.2, 3.3, 3.5, 3.6, 3.7, 3.8 3.Gate’s load capability BUS CMOS Fo=10 3.5 OD (open Drain) Gate Applications 1.Drining light-emitting diodes (LEDS) 2. performing Wiring Logic 3.Driving multi-source buses 3.5.1 概述 为什么要使用OD门﹖ Sec.3.5.2 OD (open Drain) Gate A B f ◇ VDD Rup A B F 3.5.2 OD gate Rup A B A B Open drain T1 T2 F 上拉电阻RUP的要求: ⑴.RUP要尽可能地小; ⑵.从低电平跳到高电平时间常数最小(上升时间); CC40107 漏极开路输出的 NAND Gate Open-Drain Gate A B Y Rup 3.5.3 OD Gate Application Wire AND Logic V dd f A B C D Rup = AB+CD Rup = ? ILED=10ma Rup LED A B VOLmax=0.37 5V电源电压情况下负载电流典型值 CMOS负载 TTL负载 IOLmax VOLmax IOHmax VOHmin 0.02(20UA) 0.1V -0.02(20uA) 4.4V 4.0(MA) 0.33V -4.0 3.84V 3.6 TTL Logic gate 3.6.1 Diode Diode Logic gate 3.6.2 The Transistor Switch Invertor 3.6.3 TTL NAND NOR Gate 3.6.1 Diode Diode Logic gate 1.Semiconducter Diode N P E R PN Junction E Rw R ▼ + - Ud 获得高、低电平的基本原理 返回 二极管开关电路 返回 二极管的伏安特性 返回 二极管伏安特性的几种近似方法 返回 Diode Gate 最简单的与、或、非门电路 1 二极管与门 2 二极管或门 1. 二极管与门 返回 2. 二极管或门 返回 3.6.2 The Transistor Switch Invertor 1. The Transistor structure N P N E B C 2. The Transistor Symbol 2. The Transistor as a Switch EB Rb Rc Ec uo IB IC UI≥0.7V IB VCC UO IC RC 三极管非门(反相器) 返回 Sec.3.7 TTL Logic Gates 3.7.1.TTL反相器 ⑴. TTL反相器的典型电路 ⑵. TTL反相器的电压传输特性 ⑶.输入端噪声容限 3.7.2 TTL NAND gate 3.7.3 TTL或非门电路 3.7.4 TTL与或非门及TTL异或门 3.7.1. TTL反相器的典型电路 返回 ⒈ TTL反相器 2.TTL反相器的电压传输特性 返回 0.7v 3. 输入端噪声容限示意图 返回 4. TTL反相器的输入端等效电路 返回 5. TTL反相器高电平输出等效电路 返回 Sec3.7 TTL NOT gate TTL反相器电流的计算 返回 (a)vO=VOL 的情况 (b) vO=VOH的情况 3.7.2.TTL NAND gate TTL与非门电路(标准型) 返回 3.7.3 T

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