第一章,模电.ppt

电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展上。从电子管→半导体管→集成电路 半导体元器件的发展 1947年 贝尔实验室制成第一只晶体管 1958年 集成电路 1969年 大规模集成电路 1975年 超大规模集成电路 二、模拟信号与模拟电路 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程 三极管的参数分为三大类: 直流参数、交流参数、极限参数 一、直流参数 1.共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const 1.3.4晶体管的主要参数 2.共基直流电流放大系数 3.集电极基极间反向饱和电流ICBO 集电极发射极间的反向饱和电流ICEO ICEO=（1+ ）ICBO 二、交流参数 1.共发射极交流电流放大系数? ? =?iC/?iB?UCE=const 2. 共基极交流电流放大系数α α=?iC/?iE? UCB=const 3.特征频率 fT ?值下降到1的信号频率 1.最大集电极耗散功率PCM PCM= iCuCE 三、 极限参数 2.最大集电极电流ICM 3. 反向击穿电压 ? UCBO——发射极开路时的集电结反 　　　　　向击穿电压。 ? U EBO——集电极开路时发射结的反 　向击穿电压。 ? UCEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。 几个击穿电压有如下关系 UCBO＞UCEO＞UEBO 由PCM、 ICM和UCEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区 PCM= iCuCE U (BR) CEO UCE/V 1.3.5　温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响 温度每升高100C ， ICBO增加约一倍。 反之，当温度降低时ICBO减少。 硅管的ICBO比锗管的小得多。 二、温度对输入特性的影响 温度升高时正向特性左移， 反之右移 60 40 20 0 0.4 0.8 I / mA U / V 温度对输入特性的影响 200 600 三、温度对输出特性的影响 温度升高将导致 IC 增大 iC uCE O iB 200 600 温度对输出特性的影响 三极管工作状态的判断 [例1]：测量某NPN型BJT各电极对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？ （1） VC ＝6V　 　VB ＝0.7V　 VE ＝0V （2） VC ＝6V　 　VB ＝4V　 VE ＝3.6V （3） VC ＝3.6V　 VB ＝4V　 VE ＝3.4V 解： 原则： 正偏 反偏 反偏 集电结 正偏 正偏 反偏 发射结 饱和 放大 截止 对NPN管而言，放大时VC ＞ VB ＞ VE 对PNP管而言，放大时VC ＜ VB ＜VE （1）放大区 （2）截止区 （3）饱和区 [例2]　某放大电路中BJT三个电极的电流如图所示。 IA＝-2mA,IB＝-0.04mA,IC＝+2.04mA,试判断管脚、管型。 解：电流判断法。 　　电流的正方向和KCL。IE=IB+ IC A B C IA IB IC C为发射极 B为基极 A为集电极。 管型为NPN管。 管脚、管型的判断法也可采用万用表电阻法。参考实验。 例[3]：测得工作在放大电路中几个晶体管三个电极的电位U1、U2、U3分别为： （1）U1=3.5V、U2=2.8V、　U3=12V （2）U1=3V、　U2=2.8V、　U3=12V （3）U1=6V、　U2=11.3V、　U3=12V （4）U1=6V、　U2=11.8V、　U3=12V 判断它们是NPN型还是PNP型？是硅管还是锗管？并确定e、b、c。 　　（1）U1 b、U2 e、U3 c NPN 硅 （2）U1 b、U2 e、U3 c NPN 锗 （3）U1 c、U2 b、U3 e PNP 硅 （4）U1 c、U2 b、U3 e PNP 锗 原则：先求UBE，若等于0.6-0.7V，为硅管；若等于0.2-0.3V，为锗管。　　　　发射结正偏，集电结反偏。 　　　 NPN管　UBE＞0，　 UBC＜0，即UC ＞ UB ＞ UE 。 　　　 PNP管　UBE＜0，　 UBC＜0，即UC ＜ UB ＜ UE 。 解： 复习 1.BJT放大电路三个 电流关系 ？ IE =IC+IB 2.BJT的输入、输出特性曲线？ uCE = 0V uCE