第三章 MOS器件模拟.ppt

第三章 MOS器件模拟§1设定器件结构例 mosn1 Go atlas# SILVACO International# N-MOSFET structure # For MIXEDMODE master.out should #be specified mesh outf=mosn1_0.str master.out Go atlas 表示以下这段程序使用器件模拟部分，如果使用工艺模拟则Go Athena # 注释符 Mesh 网格语句，网格放到mosn1_0.str 内master.out此程序还要放到电路模拟中模拟。设置一个标准格式Silvaco 自动写三角网格 例 mosn1 x.m l=0.0 spacing=0.1x.m l=3.0 spacing=0.1 y.m l=-0.02 spacing=0.01y.m l=0.0 spacing=0.01y.m l=0.7 spacing=0.06y.m l=2.0 spacing=0.2 x.mesh location在0时，间隔0.1μ y.mesh location在0时，间隔0.01μ 例 mosn1 # Regionsregion num=1 y.min=0 siliconregion num=2 y.max=0 oxide #区域语句 1号区域，y的最小值为0，说明y0为硅 #2号区域，y的最大值为0，说明y0为二氧化硅 例 mosn1 # Electrodes. For MIXEDMODE names must be specified elec num=1 x.min=1 length=1.0 name=gate elec num=2 left length=1.0 y.min=0 y.max=0 name=source elec num=3 right length=1.0 y.min=0 y.max=0 name=drain elec num=4 substrate name=substrate  #电极语句，一号电极 x的最小值=1，长度为1，名字叫栅， #二号电极 在最左边，长度为1，y在0，名字叫源， #三号电极 在最右边，长度为1，y在0，名字叫漏， 例 mosn1 # Doping profiles doping uniform conc=1e16 p.type doping gauss conc=1e17 p.type char=0.2 peak=0.15 doping gauss conc=1e20 n.type junc=0.17 x.right=1.0 ratio=0.7 doping gauss conc=1e20 n.type junc=0.17 x.left=2.0 ratio=0.7 #掺杂语句，均匀掺杂，浓度为1e16，P型， #高斯分布，浓度为1e17，P型，特征值为0.2，此值越小，浓度衰#减越快，浓度的峰值在0.15。 #高斯分布，浓度为1e20，n型，结深0.17，x从左向右，右边界的#坐标为1。横向扩散与纵向的比为0.7。 #高斯分布，浓度为1e20，n型，结深0.17，x从右向左，左边界的#坐标为2。横向扩散与纵向的比为0.7。 例 mosn1 tonyplot mosn1_0.str -set mosn1.set ? 例 mosn1图3-1.1 mosn1_0.str 左图 N型浓度 右图 P型浓度 例 mosn1 # set material models models cvt srh print contact name=gate n.poly interface qf=3e10 method gummel newton solve init # Bias the drain solve vdrain=0.1 # Ramp the gate log outf=mosn1.log master #栅极接触为N型多晶硅 #氧化层中正电荷为3e10。 解耦，牛顿 #解内建电场 #提升栅压 记录文件 solve vgate=0 vstep=0.25 vfinal=3.0 name=gate save outf=mosn1_1.str # plot results # extract device parameters extractname=nvt(xintercept(maxslope(curve(abs(v.gate),abs(i.drain)