第五章 微机原理、汇编与接口技术_第二版_朱定华版.ppt

CE→芯片允许信号 WE→写允许信号 OE→输出允许信号 RDY/BUSY→擦写状态信号线. 擦除和写入时，置为高电平；写入完成，置为低电平 2816、2817和2864的主要性能指标：读取时间250ns、写入时间10ns(2816为15ns)、字节擦除时间10ns（2816为15ns）、读操作电压5V、擦写操作电压5V、操作电流110mA 2. 动态RAM和内存条 (1) 动态RAM 常用芯片有64K×1、64K×4、1M×1、1M×4等。 2164A芯片的引线和功能如下图所示。4个128×128的存储矩阵、128选1行译码器、128选1列译码器、行地址锁存器、列地址锁存器、“4选1”I/O控制门和多路开关 (2)内存条 内存条是一块焊接了多片存储器并带接口引脚的小型印刷电路板，将其插入主板上的存储器插槽中即可。 SIMM(single in-line memory modules)是一种8位数据宽，带32条单边引线或32位数据宽度带72条引线的内存条 。 DIMM(dual in-line memory modules)是一种64位数据宽度带168条引线的内存条，Pentium系列微机主板上只要插上一条即可工作。DIMM内存条由8片8位数据宽度的同型号IC芯片组成，有的则由9片组成，增加的1片作校验位用。有的DIMM内存条的边角上还附有一块小芯片，这是一片串行接口的EEPROM，称为串行在片检测(serial presence detect)。 3. 非易失性随机存储器 NVRAM(non volatile RAM) 非易失性随机存储器 NVRAM是一种断电后信息不丢失的RAM。目前NVRAM主要有两种形式：电池式NVRAM和形影式NVRAM。 电池式NVRAM由静态随机存储器SRAM、备用电池和切换电路组成。备用电池在外接电源断开或下降至3V时自动接入电路继续供电，以免信息丢失。电池式NVRAM芯片的引线排列与SRAM芯片兼容。 形影式NVRAM由SRAM和EEPROM组成。SRAM和EEPROM的存储容量相同，且逐位一一对应。EEPROM中的信息必须调出后存放到SRAM中（有些芯片上电后自动电池）才能与CPU交换信息。在正常运行时对形影式NVRAM的读或写操作只与SRAM交换信息。SRAM中的信息也可以存入EEPROM中，但在外接电源断开或发生故障时，它可以立即把SRAM中的信息保存到EEPROM中，使信息得到自动保护。 计算机应用系统的存储器通常由多片存储器芯片组成.芯片内部的存储单元由片内的译码电路对芯片的地址线输入的地址进行译码来选择，称之为字选.字选只要从地址总线的最低位A0开始，把它们与存储器芯片的地址线依次相连即可完成.而存储器芯片则由地址总线中剩余的高位线来选择，这就是片选 5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接 地址线数与存储单元数间的关系为： 存储单元=2x（x为地址线数 ） 如下表所列 地址线数 1 2 3 4 … 8 9 10 11 12 13 14 15 16 单元数 2 4 8 16 … 256 512 1K 2K 4K 8K 16K 32K 64K 5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接 1.存储器芯片的地址线与地址总线的连接 原则是，从地址总线的最低位A0开始，把它们与存储器芯片的地址线依次相连 5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接 2.存储器芯片的片选线与地址总线的连接 5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接 直接以系统的高位地址作为存储器芯片的片选信 号，将用到的高位地址线接往存储器芯片的片选端. 当该地址线为0或1时，就选中该芯片，即用一根地址 线选通一块芯片 （1）线选法 2.存储器芯片的片选线与地址总线的连接 5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接 （2）译码法 使用译码器对系统总线中字选余下的高位地址线 进行译码，以其译码输出作为存储器芯片的片选信号 2.存储器芯片的片选线与地址总线的连接 5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接 （2）译码法 常用典型译码器：74LS138（3-8译码器），其引线与功能如下图： 例5.1 用译码法连接容量为64K×8的存储器，若用8K×8的存储器芯片，共需多少片？共需多少根地址线？其中几根作字选线？几根作片选线？试用74LS138画出译码电路，并标出其输出线的选址范围.若改用线选法能够组成多大容量的存储器？试写出各线选线的选址范围 5.3.1 存储器芯片与地址总线的连接 64K×8/8K×8=8, 即共需要8片存储器芯片 64K=65536=216，故组成64K的存储器共需16根地址线 8K=81