15-LED参考资料--基板制程简介.PDF

Wafer製程 2006/4/16 陳清南 Crystal Growing Process Crystal Growing Cropping Ingot Evaluation Surface Grinding To Solar To Wafering Ingot Process Process 下頁 Squaring Wafering Process Ingot Slicing Wafer Cleaning Inspection(Solar Grade) Lapping Diffusion 下頁 Chemical Etching Backside Damage LTO / Poly Back Polishing Process Wafer Polishing RCA Cleaning Geometry Scanning Laser Marking Particle Scanning RCA Cleaning Visual Inspection 以下為附件 Wafer基板製程 陳清南整理 完整流程 長晶 • CZ長晶法是將晶種浸入裝了熔湯的坩堝中，藉著轉動晶 體攪拌熔湯，由熔湯提拉成長單晶。 • 半導體矽晶(Si)及鍺晶(Ge)已藉由此法產業化多年，並應 用在多種單晶製造。 – 長晶的起始原料為鈮酸鋰／鉭酸鋰多晶塊，而多晶塊的組成通常 以 Li／Nb (或 Li／Ta) 的莫耳比為 0.93~0.95 的 Li2CO3 及 Nb2O5 (Ta2O5) 的粉料均勻混合並將其壓塊燒結為起始原料，將 此原料放入坩堝中加熱使之熔化成液狀。 – 待坩堝中的原料熔化後，將確定晶向的晶種浸入熔湯液面，藉由 適當的溫度控制使晶種前端達到縮頸且液固態之平衡狀態確定後 開始提拉。逐步將熔湯的溫度緩慢下降，使晶體擴大形成肩部達 到需要的直徑。 – 此時要不斷調整拉速並控制溫度，維持晶體直徑在一定的大小， 直到適當長度，再將晶棒的直徑慢慢縮小至一尖點即與液面分離， 長晶工作即告完成。 長晶棒段面切割與外徑研磨 • 長成之單晶的兩端依需要的晶向切斷去除 直徑不足之晶冠及晶尾，並利用研磨機以 滾輪磨削的方式來修整晶棒的外徑，以達 到所需要的尺寸與邊緣形狀。 切片 • 將滾圓後的晶棒利用覆有漿料的鋼線切割 成具有準幾何尺寸的薄晶片。在切片的過 程中，晶片的厚度變異，撓曲度及損傷層 的深度等都會對接下來的加工精準度產生 影響。 倒腳圓邊 • 將晶圓外緣打圓是為了避免晶圓在接下來 的製程中發生邊緣的破裂、崩角等情形。 檢驗 • 我們使用各種精密的光學儀器與測量設備， 檢驗晶圓的各種數值，如：TTV 、LTV 、撓 曲度、崩角、微顆粒污染或其他表面微缺 陷，以確定符合客戶要求之品質規格。經 過以上種種複雜的程序與嚴格的品質管制， 合格的晶圓再以充氮潔淨包裝後交到客戶 手上了。