1证明n型半导体费米能级在本征半导体的费米能级之上.PDF

1.证明n 型半导体费米能级在本征半导体的费米能级之上。 14 -3 15 -3 2. 室温下，半导体 Si 掺硼的浓度为 10 cm ，同时掺有浓度为 1.1×10 cm 的 磷，分别求电子浓度、空穴浓度及费米能级相对于导带底的位置；将该半导体由 室温度升至 570K，则多子浓度、少子浓度又分别是多少？费米能级相对于禁带 10 -3 17 -3 中央的位置呢。已知：室温下，n ≈1.5×10 cm ，570K 时，n ≈2×10 cm 。 i i 3.试定性定量说明：在一定的温度下，对本征材料而言，材料的禁带宽度越窄， 载流子浓度越高。 10 -3 16 -3 4.室温下，若两块 Si 样品中的电子浓度分别为 2.25×10 cm 和 6.8×10 cm ， 试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级的相对位置，并判断样品的导电类型。 16 -3 假如再在其中都掺入浓度为 2.25×10 cm 的受主杂质，这两块样品的导电类型 又将怎样？ 6 -3 17 -3 5.含受主浓度为8.0×10 cm 和施主浓度为7.25×10 cm 的Si 材料，试求温度 分别为300K 和400K 时此材料的载流子浓度和费米能级的相对位置。 6.试分别计算在77K、300K 和500K 下本征Si 的载流子浓度。 16 -3 7.Si 样品中的施主浓度为4.5×10 cm ，试计算300K 时的电子浓度和空穴浓度 各为多少？ 14 -3 8. 有一硅样品在温度为300 K 时，施主与受主的浓度差N -N =10 cm ,设杂质全 D A 19 -3 部电离，已知该温度下导带底的有效状态密度N =2.9×10 cm ，硅的本征载流子 C 10 -3 浓度n =1.5×10 cm ,求样品的费米能级位于哪里？ i 9.室温下，某非简并n 型硅样品中受主杂质浓度为N A 1016 / cm3 ，其费米能级位 于导带底之下0.20 eV 处。假设杂质全部电离。试求其中的施主浓度的数值。 t    p t p e 10.证明非平衡载流子的寿命满足