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20VN沟道增强型MOS场效应管
9926
20VN沟道增强型MOS场效应管
R (ON),Vgs@1.8V, Ids@2.0A=75mΩ
DS
R (ON),Vgs@2.5V, Ids@3.5A=38mΩ
DS
R (ON),Vgs@4.0V, Ids@4.5A=30mΩ
DS
R (ON),Vgs@4.5V, Ids@4.5A=28mΩ
DS
R (ON),Vgs@10V, Ids@5.0A=25mΩ
DS
S1 1 8 D1
G1 2 7 D1
S2 3 6 D2
G2 4 5 D2
SOP-8
注:图中D1、D2是导通的。
绝对最大额定值 (T =25℃,除非另有注明)
A
参数 符号 最大值 单位
漏源极电压 VDS 20 V
栅源极电压 VGS ±10 V
T =25℃ 6
A
连续漏电流 ID
T =70℃ 4.2 A
A
脉冲漏电流 IDM 20
T =25℃ 2
A
功耗 D W
T =70℃ 1.28
A
温度范围 T ,T -55~150 ℃
J STG
热特性
参数 符号 典型值 最大值 单位
最大管结温度 T≤10S 56 62.5 ℃/W
RθJA
最大管结温度
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