LC08248A产品说明-深圳市富满电子集团股份有限公司.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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深圳市富满电子集团股份有限公司 SHENZHENFUMANELECTRONICSCO.,LTD. TC4953C(文件编号：SCIC1071) 20VP沟道增强型 MOS场效应管 VDS=-20V RDS(ON),Vgs@-10V, Ids@-5.3A=65m @TYP RDS(ON),Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A=98m @TYP Internal Schemaic Diagram Source Gate Drain P-Channel MOSFET 特点  先进的沟道工艺技术  高密度超低电阻设计  改良的成形工艺最大额定值和热特性(TA=25℃，除非另有说明。) 参数符号值单位漏源电压 VDS -20 V 栅源电压 VGS ±12 漏极电流 ID -5.3 A 漏极脉冲电流 IDM -20 工作结温和存储温度范围 T ,T -50to 150 ℃ J stg 注：重复性极限值：脉冲宽度由最高结温限制。 1 2 3 第 1 页共 3 页深圳市富满电子集团股份有限公司 SHENZHENFUMANELECTRONICSCO.,LTD. TC4953C(文件编号：SCIC1071) 20VP沟道增强型 MOS场效应管电特性参数符号测试条件最小典型最大单位静电漏源击穿电压 B V =0V,I =-250uA -20 -- -- V VDSS GS D R V =-4.5V,I =-4.2A