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LC08248A产品说明-深圳市富满电子集团股份有限公司
深圳市富满电子集团股份有限公司
SHENZHENFUMANELECTRONICSCO.,LTD.
TC4953C(文件编号:SCIC1071) 20VP沟道增强型 MOS场效应管
VDS=-20V
RDS(ON),Vgs@-10V, Ids@-5.3A=65m @TYP
RDS(ON),Vgs@-4.5V, Ids@-4.2A=98m @TYP
Internal Schemaic Diagram
Source
Gate
Drain
P-Channel MOSFET
特点
先进的沟道工艺技术
高密度超低电阻设计
改良的成形工艺
最大额定值和热特性(TA=25℃,除非另有说明。)
参数 符号 值 单位
漏源电压 VDS -20
V
栅源电压 VGS ±12
漏极电流 ID -5.3
A
漏极脉冲电流 IDM -20
工作结温和存储温度范围 T ,T -50to 150 ℃
J stg
注:重复性极限值:脉冲宽度由最高结温限制。
1 2 3
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深圳市富满电子集团股份有限公司
SHENZHENFUMANELECTRONICSCO.,LTD.
TC4953C(文件编号:SCIC1071) 20VP沟道增强型 MOS场效应管
电特性
参数 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位
静电
漏源击穿电压 B V =0V,I =-250uA -20 -- -- V
VDSS GS D
R V =-4.5V,I =-4.2A
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