Mg+注入对GaN晶体辐射损伤的研究-物理学报.PDF

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Mg注入对GaN晶体辐射损伤的研究-物理学报

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’’ ’ ##R ’ , , , 0. D’’ A0 D’ ;-N ##R ( ) ###/U(#E##RE’’ #’ E)%R/#R ^=W^ \O_L‘=^ L‘A‘=^ !##R =643 D \6N: D L05 D ! # 注入对$% 晶体辐射损伤的研究! 蒙 康 姜森林 侯利娜 李 蝉 王 坤 丁志博 姚淑德! (北京大学物理学院,北京 ##$%) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) ##’ ( ’ ##’ ) 在蓝宝石衬底上通过金属有机物化学气相沉积( , )方法外延生长的 *+,-./012-345 56+*45-. 7-801 9+80:4,403 ;=? 薄膜具有良好的结晶品质, 达到 结合卢瑟福背散射 沟道( , @-A *43 B## C D E FG,6+1H019 I-5J:5-,,+1432E 56-33+.432 FKLE ! =)和高分辨 射线衍射( , )的实验测量,研究了不同剂量和不同角度 P 注入 M 6426/1+:0.G,403 M/1-N 94HH1-5,403 OMF? ;2 @-A 所造成的辐射损伤D 实验结果表明,随注入剂量的增大,晶体的辐射损伤也增大,注入剂量在 ’ 以下, 小于 Q # -,0*E 5* *43 ! , R 是 P 注入 的剂量阈值,超过这个阈值,结晶品质急剧变差, 达到 ;随机注 ) B%$C Q # -,0*E 5* ;2 @-A *43 ( B’ C ! 入比沟道注入的辐射损伤大,且在一定范围内随注入角度的增大,损伤也增大,在 ’ 剂量下偏离 ) Q # -,0*E 5* 〈 〉沟道 , , , 时的 ( )分别为 , , , ;经过 两步退火和 ### #S )S RS (S

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