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2017-08-05 发布于天津
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P 沟道 MOSFET LYM2301 系列 P 沟道 MOSFET LYM2301 系列描述：特点： LYM2301 系列P 沟道增强型功率场效 -20V/-2.8A R =93mΩ@ V =-4.5V,I =-2.8A 应管（MOSFET ），采用高单元密度的DMOS 沟 DS(ON) GS D R =113mΩ@ V =-2.5V,I =-2A 道技术。这种高密度的工艺特别适用于减小导通 DS(ON) GS D 超大密度单元、极小的 RDS(ON) ）电阻。超小封装：SOT23 LYM2301 系列适用于低压应用，例如移动电话，笔记本电脑的电源管理和其他电池的电源电路。这种低损耗可采用小尺寸封装。引脚排列图：典型应用: 电源管理负载开关电池保护极限参数: 参数符号极限值单位漏级电压 VDSS -20V V 栅级电压 VGSS ±8 V T =25℃ -2.8 A 漏级电流 ID A TA=70℃ -1.8 1，2 脉冲电流 IDM -10 A T =25℃ 0.7