第二十九讲“长的”金属－氧化物－半导体场效应晶体管（续）主要问题.PDF

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 第二十九讲 “长的”金属－氧化物－半导体场效应 体管 （续） 11月13 ，2002 内容： 1. 小信号等效电路模型 阅读作业： Tsividis，Ch. 8 ，§§8.1－8.4 主要问题 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo  对MO FET小信号等效电路模型的布局是什么？  在模型中所有小信号元件主要的偏置和尺寸的决定因素是什么？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. 小信号等效电路模型 在许多应用中，对加在器件偏置之上的小信号的反应感兴趣： 要点：  小信号很小 非线性行为变成线性的。  能分隔开MO FET对偏置和小信号的响应。  因为响应是线性的，采用叠加 不同小信号相互独立的作用。 数学上： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo i d 等于小信号驱动线性组合： 定义： gm 跨导[ ] gd 输出或漏电导[ ] gmb 背跨导[ ] gm ，gd 和gm 的近似计算： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 为了数学上的简化，没有考虑体因子。 小信号低频等效电路模型： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo □ 跨导，gm ： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo  线性区：  饱和区： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo □ 输出电导，gd ： 2002 秋季 6.720J