第二十五讲Si表面和金属－氧化物－半导体结构（续）“长的”金属－氧化.PDF

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo Si 第二十五讲 表面和金属－氧化物－半导体结构 （续 “长的”金属－氧化物－半导体场效应晶体管 11 1 2002 月 ， 内容： 1. 三端MOS结构 2. 介绍MOSFET 3. 反型层传输 阅读作业 del Alamo Ch. 8，§8. -8.6; Ch. 9, §9.1 通知： 2 11 Rm. 50 340 Walker 7 30 9 30PM 13 24 6 8 MOS 测验 ： 月 ， － （ ）， ： － ： ；第 － 内容（或 － 章包括三端 结构）。开卷。带计算器。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要问题  如果连接反型层并加一个偏置电压，MOS结构的静电态会发生什么变化？  一个MOSFET像什么，它是如何工作的？  通过反型层的横向传输是如何发生的？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. 三端MOS结构 引入对反型层的连接： V 相对于衬底现在能对反型层加一个偏压， SB 。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo n+ − p V 0 源－体结： 结→只希望反向偏置， SB V V 0 只对反型区感兴趣：在保持 GB 不变的情况下施加 SB 。 能带图： V 0 φ Q 采用 SB ，增加 s ，同时 d 也增加。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo G B 从 到 的总电势是固定的： 但是： 因此： Qd 小节：