表面处理对液晶显示阵列基板中黑矩阵残留的影响-液晶与显示.PDF

第 卷 第 期 液晶与显示 ３０ 　 ６ 　　 Vol．３０　No．６ 　 　　　　 　　　　　　ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas 年 月 q y p y ２０１５ １２ 　 　 　 Dec．２０１５ 文章编号: ( ) １００７Ｇ２７８０２０１５０６Ｇ０９１５Ｇ０５ 表面处理对液晶显示阵列基板中 黑矩阵残留的影响 ∗ , , , 张 锋 舒 适 齐永莲 刘 震 　 　 　 ( , ) 京东方科技集团股份有限公司 技术研发中心 北京 １００１７６ : 、 、 , 摘要 主要分析了黑矩阵残留程度与 SiNxSiON SiOx等基底表面亲水特性的关系 研究了等离子体处理对基底表面亲 . , 、 水特性以及黑矩阵残留的影响 首先 通过原子力显微镜和扫描电子显微镜对黑矩阵在不同基底表面的残留颗粒大小 . , , 表面粗糙度进行了测试 然后 使用接触角测试仪对不同基底表面的亲水特性进行了表征 分析了表面亲水特性和黑矩 . , , / 阵残留程度的关系 最后 研究了等离子体处理条件对基底表面亲水特性的影响 提出了采用 O He等离子体对基底 ２ . : 、 , 表面进行改性来解决黑矩阵的残留问题 实验结果表明 基底表面的水接触角越小 亲水性越强 黑矩阵在基底表面的 ; / , , 残留越少 等离子体表面处理使基底表面的水接触角从 降低到 增强了基底表面的亲水特性 并且黑矩阵 O He １７° ３° ２ , . 工艺之后基底表面的粗糙度从 ３０６nm降低到 ０６９nm 消除了黑矩阵的残留 : ; ; ; 关 键 词 等离子体处理 亲水性 接触角 黑矩阵 　 　 中图分类号: ＋ 文献标识码: : / O４７２１　　 A　　doi１０．３７８８YJYX０９１５ EffectofsurfacetreatmentonBMresiduein TFTＧLC