铁电存储器FM24C256在仪表中的应用-Read.DOC

铁电存储器FM24C256在仪表中的应用 转自:紫薇单片机 ??? 关键词：存贮器;FM24C256;AT24C256;EEPROM ??? 一．?概述： ???? FRAM是最近几年由RAMTRON公司研制的新型存贮器,它的核心技术是铁电晶体材料,拥有随即存取记忆体和非易失性存贮产品的特性。FM24C256是一种铁电存贮器（FRAM）,容量为256KBIT存贮器,它和AT24C256容量等同,总线结构兼容,但FM24C256的性能指标远大于AT24C256。在存贮器领域中,FM24C256应用逐渐被推广和认可,尤其是大容量存贮器,它的优良特性远高于同等容量的EEPROM。在电子式电能表行业中,数据安全保存是最重要的。随着电子表功能的发展,保存的数据量越来越大,这就需要大容量的存储器,而大容量的EEPROM性能指标不是很高,尤其是擦写次数和速度影响电能表自身的质量。FM24C256在电能表中的使用,会提高电能表的数据安全存贮特性。 ??? 二．?铁电存贮器（FRAM）FM24C256的特性： ??? 传统半导体记忆体有两大体系：易失性记忆体（volatile memory）和非易失性记忆体（non-volatile memory）。易失性记忆体像SRAM和DRAM在没有电源的情况下都不能保存数据。但这种存贮器拥有高性能、易用等优点。非易失性记忆体像EPROM,EEPROM和FLASH 能在断电后仍保存数据。但由于所有这些记忆体均起源自ROM技术,所以不难想象得到他们都有不易写入的缺点：写入缓慢、读写次数低、写入时工耗大等。 ??? FM24C256是一个256Kbit 的FRAM,总线频率最高可达1MHz,10亿次以上的读写次数,工耗低。与典型的EEPROM AT24C256相比较,FM24C256可跟随总线速度写入,无须等待时间,而AT24C256必须等待几毫秒（ms）才能进行下一步写操作。FM24C256可读写10亿次以上,几乎无限次读写。而AT24C256只有10万之一百万次读写。另外,AT24C256读写能量高出FM24C256有2,500倍。从比较中看出,FM24C256包含了RAM技术优点,同时拥有ROM技术的非易失性特点。??? 三．?FM24C256的应用： ??? 在仪表设计中,数据的安全存贮非常重要。如电子式电能表,它在运行期间时刻都在记录数据,如果功能设计比较多,那么保存的数据量大,擦写次数比较多。这要求有一个高性能的存贮器才能满足要求。现在的仪表设计,寿命要求长,数据保存安全期长。目前,FM24C256是非常适合仪表设计要求的存贮器。它的性能指标完全达到设计要求,解决了仪表中的设计忧虑。更重要的是,它的存贮时间短,能够在极短的时间内保存大量数据,解决了仪表在突然断电时数据及时、安全的存贮。RAMTRON公司研制的FM24C256,为了普及使用,存贮指令和AT24C256兼容,只是在读写指令和应答是不需要延时,提高了擦写速率。封装体积、功能管角和AT24C256一样,使设计者容易接受和运用。 ?? ? ??? 写子程序： WRITE：????? CLR1 PM.3????? ;;设置P4.3为输出状态????? CLR1 P4.2????? CLR1 P4.3????? CLR1 P4.1?????? ;;打开写保护CALL !SENDSTART??? ;;发送起始位MOV A,CALL !SENDCOM??? ;;发送写命令BC $WNOACKX????? ;;没应答则错误返回? NOPCLR1 P4.2CLR1? PM4.3??????? ;; 设置P4.3为输出状态MOV A,D??????????? ;;D中存放所写单元高地址CALL !SENDCOM???? ;;发送所写单元高地址BC $WNOACKX??? ;;;没应答则错误返回CLR1? PM4.3??????? ;; 设置P4.3为输出状态MOV A,E??????? ;;;;E中存放所写单元低地址CALL !SENDCOM?? ;;发送所写单元低地址BC $WNOACKX?? ;;没应答则错误返回CLR1? PM4.3??????? ;; 设置P4.3为输出状态MOV A,[HL]?????? ;;[HL] 中存放所写数据??? CALL !A24SENDC??? ;;发送所写数据???CLR1 CY??????????? SET1 P4.1??;;写保护 WNOACKX：SET1 CYRET SENDSTART:??? 发送起始位子程序SET1 P4.2?? SET1 P4.3????? ;;发起始位??????? NOPNOP???? ?