2SA1162(3CG1162) 硅PNP 半导体三极管 - TIXERRU.PDF

2SA1162(3CG1162) 硅PNP 半导体三极管 - TIXERRU.PDF

  1. 1、本文档共2页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
2SA1162(3CG1162) 硅PNP 半导体三极管 - TIXERRU

2SA1162(3CG1162) 硅PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR 用途:用于普通音频放大/Purpose:Audio frequency general purpose amplifier applications. 特点:电压和集电极直流电流大,极好的放大线性,高放大,噪声系数低,与 2SC2712(3DG2712)互补。 Features:High voltage and current,excellent h linearity,high h ,low noise,complementary FE FE to 2SC2712(3DG2712). 极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃) 参数符号 数值 单位 Symbol Rating Unit VCBO -50 V VCEO -50 V VEBO -5.0 V IC -150 mA IB -30 mA PC 150 mW Tj 150 ℃ Tstg -55~150 ℃ 电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃) 数值 参数符号 测试条件 Rating 单位 Symbol Test condition 最小值 典型值 最大值 Unit Min Typ Max I V =-50V I =0 -0.1 μA CBO CB E I V =-5.0V I =0 -0.1 μA EBO EB C h V =-6.0V I =-2.0mA 70 400 FE CE C V I =-100mA I =-10mA

文档评论(0)

youbika + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档