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QDR SRAM 和RLDRAM:对比分析 - Cypress Semiconductor
QDR SRAM 和和RLDRAM:对比分析:对比分析
和和 :对比分析:对比分析
By (Anuj Chakrapani, Cypress 存储与成像部应用工程师)
摘要摘要
摘要摘要
当今的高速网络应用需要高带宽和高密度存储器解决方案。例如,标准的网络线路卡需要用于各种操
作的存储器,包括信息包缓冲器、查找表和队列管理等诸多功能。为了确保存储器带宽不会成为应用
吞吐量的瓶颈,选择正确的存储器解决方案是至关重要的。本白皮书将讨论适合于网络应用的存储器
解决方案 —— 具体来说,就是四倍数据速率静态 ( )和低延迟动态 ( )
RAM QDR SRAM RAM RLDARM
—— 并就其最为适合的应用对它们进行了比较。
网络网络SRAM 的发展的发展
网络网络 的发展的发展
标准的同步SRAM (最早的主流同步SRAM )是高速缓冲存储器应用的理想选择。然而,尽管其应用
十分广泛,但对于规定了一个平衡读/写模式的网络应用而言,它们并不是合适之选。一个其后紧跟着
一个写(WRITE )操作的读(READ)操作将导致在数据总线上出现争用状态。对于总线争用来说,
唯一的规避措施就是引入“等待”或“无操作”(NOP)周期,以提供总线转向时间。但是,这些“等
待周期”会影响总线的利用率,从而导致带宽利用不足。由于带宽利用率是一项关键因素,所以,这
些同步SRAM 并非此类网络应用的理想选择。
为了解决总线争用问题,人们开发了“无总线延迟”(NoBL)、也称“零总线转向”(ZBT )型SRAM 。
这些SRAM 在外围电路中包含了数据寄存器,用于实现流水线型的读和写操作,由此消除“等待”周
期并实现峰值总线利用率。然而,随着线路速率达到每秒几十千兆位(Gbps ),与速度、带宽和接口
相关的各种瓶颈问题必须得到解决。许多不仅要求较高的工作速度、而且还需要对存储器进行同时读
写操作的应用已经涌现出来。虽然最初非常适合于网络架构,但是,NoBL SRAM 却无法满足其性能
要求的不断攀升。因此,人们开发出了必威体育精装版一代的网络存储器 —— QDR/DDR 系列SRAM,旨在满
足如今网络应用的速度、密度和带宽要求。
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QDR/DDR 系列系列SRAM
系列系列
作为必威体育精装版一代的同步SRAM,QDR 和QDR-II SRAM 是由QDR 协会(赛普拉斯、Renesas、IDT、
NEC 和Samsung )的成员公司开发的。该网络SRAM 系列与双倍数据速率(DDR)和DDR-II SRAM
一起提供了面向所有网络系统的完整存储器解决方案。
QDR 和QDR-II SRAM 的速度高达300MHz 以上,密度为9Mb 至72Mb (今后有望扩展至高达288Mb
以上)。QDR 和QDR-II SRAM 具有用于读和写操作的单独端口,因而消除了总线争用。与其他的SRAM
相比,这些端口上的双倍数据速率接口(数据在时钟的上升沿和下降沿均被写入 SRAM 或从 SRAM
读出)基本上使每个引脚的带宽增加了一倍。较之早期的同步SRAM,拥有单独的输入和输出端口并
在这些端口上设置DDR 接口使得总带宽增加了 倍。
DDR 和DDR-II SRAM 与QDR SRAM 隶属于相同的存储器系列。它们与QDR 和QDR-II SRAM 很相似,
主要的差异在于 和 不具备单独的读和写端口。 能够同时执行读和写操作,
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