使用VCXO (压控晶体振荡器)作为时钟(CLK)发生器.DOC

使用VCXO (压控晶体振荡器)作为时钟(CLK)发生器.DOC

  1. 1、本文档共5页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
使用VCXO (压控晶体振荡器)作为时钟(CLK)发生器

使用VCXO (压控晶体振荡器)作为时钟(CLK)发生器 ? “VCXO” (压控晶体振荡器)是由晶体决定振荡频率的振荡器,可用控制电压在小范围内进行频率调整。VCXO时钟(CLK)发生器已在多种系统中得到应用,如数字电视,数字音频,ADSL和STB。此应用笔记介绍VCXO CLK发生器的结构,关键参数测量,PCB设计指南,以及对一个应用于MPEG2和AC-3音频设备的VCXO CLK发生器MAX9485的测试结果。 ? VCXO CLK发生器的结构和应用 “VCXO”,即压控晶体振荡器,其振荡频率由晶体决定,但可用控制电压在小范围内对频率进行调整,控制电压范围一般为0-2或0-3伏。VCXO的调谐范围为±100ppm至±200ppm。图1为一个典型VCXO CLK发生器的结构和晶振电路模型。 图1. 典型VCXO CLK发生器的结构图 变容二极管CV1和CV2的容值变化会影响到晶振模型,从而改变振荡频率。两个外接并联电容CS1和CS2用来调整谐振范围和中心频率的偏移。按照图1所示的晶振电路,谐振频率可用下式表示: 其中CL是由CV1,2和CS1,2决定的等效负载电容。可准确地表示为: CL = (CV1+CS1) || (CV2 + CS2)。取一阶近似并考虑到C1 C0和CL,可得到fc的频率增量。 图2为CS1 = CS2时,fc随CS1值变化的典型曲线图。 图2. VCXO频率与并联电容CS1 (CS1=CS2) 利用这一微调特性,可使用VCXO和PLL构成一个具有微调特性的CLK发生器。 VCXO CLK已经在多种系统中得到应用,如数字电视,数字音频,ADSL和STB。Maxim的MAX9485就是这样一款CLK发生器芯片,专为MPEG-2和杜比数字音频(AC-3)应用设计[1],它几乎可以提供数字音频到模拟转换所采用的所有频率,支持从12kHz到96kHz的采样频率。 Maxim还为其它应用设计了各种VCXO CLK发生器。 VCXO CLK发生器的关键参数 有许多参数用来描述VCXO CLK发生器。其中最重要的是调谐电压范围、中心频率、牵引范围以及时钟输出抖动。 调谐电压范围为VCXO控制电压的变化范围,此电压控制变容二极管的电容。通常为0至2V或3V。中心频率为VCXO输出频率范围的中点。牵引范围为变化频率(增大或减少)与中心频率的比值。此比值一般用ppm表示(百万分之一),代表VCXO的相对频率牵引范围。通常牵引范围大约为100 - 200ppm,取决于VCXO的结构和所选择的晶体。 时钟抖动是CLK发生器的一个重要参数,有多种关于抖动的定义。两个最常用的抖动参数称为“周期”抖动和“周期间”抖动,我们将在第四节详细讨论这些问题。抖动取决于CLK发生器的结构,芯片之间会有差异,不同的应用对抖动的要求也不相同。 晶体选择和电路板设计 晶体的选择和PCB板布局会对VCXO CLK发生器的性能参数产生一定的影响。选择晶体时,除了频率、封装、精度和工作温度范围,在VCXO应用中还应注意等效串联电阻和负载电容。串联电阻导致晶体的功耗增大。阻值越低,振荡器越容易起振。负载电容是晶体的一个重要参数,首先,它决定了晶体的谐振频率。一般晶体的标称频率指的是其并联指定负载电容后的谐振频率。应当指出,此处的标称频率是当CL等于指定负载电容时利用公式(1)计算出的值,但不是利用计算出的值。因此,VCXO的调谐范围与CL的值紧密相关。当负载电容值较小时,VCXO的调谐范围限制在上端;同样,电容值较大时,调谐范围将限制在下端。负载电容的适当取值取决于VCXO的特性。例如,MAX9485设计中,为了均衡调谐范围、调谐曲线中点、同时简化电路板设计,我们选择Ecliptek (ECX-5527-27) [2]具有14pf负载电容的27MHz晶体。使用这样的晶体时,MAX9485具有±200ppm的牵引范围,见图3。应该指出,封装会导致晶体牵引范围的差异。一般金属壳封装比表贴器件(SMD)的牵引范围更大。但是最近DAISHINKU公司[5]生产的一款新SMD晶体可达到与金属壳晶体近似的牵引范围。我们测试了这款SMD晶体(DSX530GA),发现外接两个4pf的并联电容时可以实现±200ppm频率牵引范围,见图4。 为了限制VCXO的调谐范围,可通过改变外部并联电容设置向上的调节范围。并联电容取值范围为4 - 7pf,取决于电路板寄生电容。另一方面,向下的调节范围取决于内部变容二极管值,不能由外部改变。为了降低寄生电容对向上频率调节范围的影响,在电路板布局中应尽可能的减少晶体引脚对地的寄生电容,保证引脚与地层和电源层之间的清洁。详细的电路板布局,请参考MAX9485评估板[4]。 图3. 图4. 测量输出时

文档评论(0)

youbika + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档