半导体的低温载流子冻析效应-内江师范学院.PDF

第 卷第 期 内江师范学院学报 31 6 No.6Vol.31 JOURNALOFNEIJIANGNORMALUNIVERSITY · · 81 半导体的低温载流子冻析效应 * , 卫静婷 陈利伟 ( , ) 广东开放大学 广东理工职业学院 广东 广州 510091 : , , , 摘 要 根据半导体的电中性条件 并考虑了杂质浓度对杂质电离能的影响 利用计算机求解方法 得到费米 , , 能级的位置随温度和掺杂浓度的变化规律 从而得到不同掺杂浓度下杂质的离化率随温度的变化规律 对半导体 的载流子低温冻析效应进行了详细的分析. : ; ; 关键词 载流子统计分布 杂质电离 冻析效应 : / / DOI10.13603 .cnki.51-1621z.2016.06.016 j 中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( ) O471.2 A 1671-1785201606-0081-04 半导体中载流子的统计分布是半导体物理学习 计算机求解的方法计算杂质在不同温度下的电离 , , 中的重点 也是半导体器件设计和研究的基础 一般 率 分析低温下半导体载流子的冻析效应 . . , 、 的教学和实践中 根据不同的温度段导带 价带和杂 1 模型的建立 , 质能级上的载流子的费米分布情况 载流子的电中 , , , 性条件在可作相应的简化和处理 但不同温度段的 热平衡状态下 若杂质均匀分布 则半导体是电 , 过渡区的分析十分困难 使用计算机处理的方法来 中性的 即空间任意一点处所有正电荷的浓度与所 . , , 求解平衡载流子的电中性条件 可得到载流子在整 有负电荷的浓度相等 因此有 , + -