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GdFeCo/TbFeCo磁超分辨磁光记录薄膜研究*
维普资讯
第 34卷第 9期 光 子 学 报 Vo1.34NO.9
2005年 9月 ACTA PHoToNICA SINICA September2005
GdFeCo/TbFeCo磁超分辨磁光记录薄膜研究*
张约品 夏海平 李佐宜 沈德芳。 干福熹。
(I宁波大学光 电子功能材料研究所 ,宁波 3I5211)
(2华 中科技大学 电子科学与技术系 ,武汉 430074)
(3中国科学院上海光学精密机械研究所 ,上海 201800)
摘 要 用磁控溅射法制备 了GdFeCo/TbFeCo交换耦合两层薄膜 ,利用不 同温度 的克尔磁滞回
线和 VSM 磁滞 回线研 究了读 出层 (GdFeCo)变温磁化方 向变化过程 .结果表 明,随温度升 高读 出
层从平面磁化转变为垂直磁化,交换耦合两层薄膜具有 中心孔探测磁超分辨的基本性能 .转变过
程主要受饱和磁化强度 (Ms)的影响,在 GdFeCo的补偿温度 附近 ,读 出层 的磁化强度较小,退磁场
能也较小,在交换耦合 的作 用下,使读 出层 (GdFeCo)的磁化 方 向发 生转 变 .磁化 方 向的转 变在
75℃~ 125℃的温度 范围 内变化较 快 .
关键词 磁光记录;磁超分辨;交换耦合两层薄膜 ;磁化
中图分类号 0484.4 3 文献标识码 A
IJ 5I置 l 实验
信息科学的飞速发展使得人们追求更高的存储 GdFeCo/TbFeCo交换耦合两层薄膜用磁控射
密度和更小的存储 点,即超高密度信息存储[1--3]. 频溅射制备 ,制备 GdFeCo和 TbFeCo薄膜的靶材
磁光存储作为一种光存储和磁存储并存 的存储方 分别采用 Gd与FeCo 复合靶和Tb与 FeCo 复
式 ,既有光存储的大容量 ,又有磁存储 的可擦重写、 合靶 .溅射的本底真空度 8×10 ‘。Torr.通过改变
自由插换和硬磁盘相接近的平均存取速度 的优点 . 溅射功率和氩气压调节薄膜成分 .A1N膜 由Al和
磁光数据存储作为一种重要 的数据存储手段向着大 N。反应溅射获得 .用 X射线荧光光谱法分析 RE—
容量快速发展 [4].为了提高存储密度,可以使用短 TM薄膜的成分.克尔磁滞 回线的测试波长为 650nil2,
波长激光二极管和大数值孔径的透镜 .但 由于衍射 样品可 以加热 .变温磁滞 回线用振动样 品磁强计
极限的限制 ,以此提高存储密度是有限的 .中心孔 (VSM)测试 .GdFeCo/TbFeCo交换耦合两层薄膜
探测磁超分辩读出技术 (CenterApertureDetection 的膜层结构 为Substrate/AlN80nm/GdFeCo50nm/
Magnetically Induced Superresolution, CAD- TbFeCo40nm/A1N80nm.读 出层 GdFeCo为富稀
MSR)[6]可 以在不改变现 有磁光驱动器读 出激光 土的 RE—TM 薄膜 ,成分为 Gd (Fe Co2)。,补偿
波长条件下通过交换耦合两层薄膜或静磁耦合薄膜 温度 150℃,居里温度 300℃;记 录层 TbFeCo为富
来实现小尺寸记录畴读出,增加存储密度 ,因此引起 过渡族的 RE—TM 薄膜 ,成分为 Tb2(Fe Co ) ,
人们 很 大 的 兴 趣 .它 与 前 孔 径 探 测 (Front 补偿温度小于室温,居里温度 250℃.
ApertureDetection,FAD)_8和后 孔径 探测 (Rear
2 结果和讨论
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