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反铁电体电子发射性能的研究-液晶与显示
第 卷 第 期 液 晶 与 显 示 ，
２４ ４ Ｖｏｌ．２４Ｎｏ．４
年 月 ，
２００９ ８ ＣｈｉｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌｏｆＬｉｕｉｄＣｒｓｔａｌｓａｎｄＤｉｓｌａｓ Ａｕ．２００９
ｑ ｙ ｐ ｙ ｇ
文章编号： （ ）
１００７２７８０２００９０４０５０２０５
反铁电体电子发射性能的研究
１ ２
蔡雪梅 ，周应华
（ 重庆邮电大学 光电学院，四川 重庆 ， ： ；
１． ４０００６５Ｅｍａｉｌｃａｉｘｍ ｃｕｔ．ｅｄｕ．ｃｎ
＠ ｑｐ
２．重庆邮电大学 计算机学院，四川 重庆 ４０００６５）
摘 要：进行了锆钛酸铅反铁电体和铁电体的电子发射对比实验，研究了抽取电压、电极绝
缘保护层和相变特性等对反铁电体电子发射性能的影响。通过涂覆绝缘保护层，大幅提高了
表面击穿阈值，从而提高了施加场强；通过施加抽取电压，提高了发射电流密度。两种方式均
２
使电流发射密度得到提高，最高达到 ／ 。利用相变理论，得到反铁电体相变时的强
１５３Ａ ｃｍ
扩散和表面的半导性使局部或表面相变温度下降，相变温度的下降有助于电子发射，合理解
释了观察到的反铁电体中发射电流密度比铁电体更高和电子发射起始阈值更低的现象。
关 键 词：反铁电体阴极；抽取电压；绝缘保护；相变；发射起始阈值
中图分类号：ＴＮ１４１ 文献标识码：Ａ
铁电阴极材料的激励方式与场阴极相同，均
１ 引 言
需要采用外加电场。但铁电阴极的电子发射原理
［，］
高功率真空电子学技术的发展对电子束的要 ２３
不同于一般的场阴极 ，它是利用其本身特有
求非常苛刻，当前加速器和高功率微波技术都要 的极化反转实现电子发射的。其主体材料为具有
求电子束源具有更高的功率（即高的电子束强度 自发极化的铁电体和反铁电体，如 ＰＺＴ（锆钛酸
和电子束能量）、低的发射度、适当的重复频率和 铅）、ＬｉＮｂＯ３（铌酸锂）、ＴＧＳ（三甘肽硫酸盐）、
足够长时间的运行寿命，同时希望能够降低其对
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