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坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究-上海应用技术学院学报
第 卷 第 期 应 用 技 术 学 报
17 1 Vol.17No.1
年 月 JOURNALOFTECHNOLOGY
2017 3 Mar.2017
文章编号: ( ) : /
2096G3424201701G0010G05 DOI10.3969 .issn.2096G3424.2017.01.003
j
坩埚下降法生长红外砷化镓晶体的研究
1 2 2 2 3 3
金 敏 , 徐家跃 , 范世骥 , 申 慧 , 何庆波 , 谈慧祖
( , ;
1.中国科学院 宁波材料技术与工程研究所 浙江 宁波 3152012.上海应用技术大学 材料科学与
, ; , )
工程学院 上海 2014183.昆山鼎晶镓业晶体材料有限公司 江苏 昆山 215300
: , , /
摘 要 利用坩埚下降法生长红外砷化镓晶体 坩埚下降炉控温 晶体以 速度
1260℃ 2.5mm h
/ 、
在温度梯度为10℃ cm的条件下结晶生长.PBN坩埚外壁黏附有气相自发成核 尺寸为 1~3mm
,
的砷化镓单晶颗粒 生长的砷化镓晶体直径约 总长约 晶体头部放肩阶段存在异
. 50.8mm 140mm.
, ,
相成核 尾部出现多晶截断后获得的砷化镓单晶长约 成晶率达 砷化镓单晶结晶质
. 100mm 70%.
-2 -2 7
, ,
量良好 头尾平均位错密度分别为 和 电阻率达 量级 砷化镓单晶
868cm 1436cm 10Ω cm .
,
整体红外透过率约为 接近最高理论透过率 满足工业界使用要求
55% 55.8%. .
:
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