微机原理chapter5指南.ppt

  1. 1、本文档共45页,可阅读全部内容。
  2. 2、有哪些信誉好的足球投注网站(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
第五章 存储器 计算机的五大组成部件:控制器、运算器、存储器、输入设备和输出设备。 存储器:存储程序和数据,表征计算机的记忆功能。 存储器可分为内部存储器和外部存储器。 各类存储器的特点: 1.内部存储器 内存,主存储器,位于主机内部,用来存放系统软件和当前正在使用的或经常使用的程序和数据,CPU可直接进行访问。 硬件基础:半导体存储器,速度快。 内存容量:由CPU地址总线位数决定,8086有20条地址线,故寻址空间为1MB。 内存的分类:RAM和ROM。 1)RAM随机存取存储器 随机读写,断电后,所有数据丢失。按集成电路内部结构又分为静态RAM和动态RAM。 (1)静态RAM(SRAM) 双极型电路或MOS电路组成触发器做存储单元。存储一位二进制数需要6个MOS管,故集成度低,功耗大,但其存取速度快。故常用来做高速缓存Cache。 (2)动态RAM(DRAM) 用MOS管和电容做存储电路,存储一位二进制数需要一个MOS管和一个电容,故其集成度高,功耗小,成本低,但其存取速度慢。 由于电路中电容的放电效应,故存储内容在一定时间后会自动消失,因此必须定时对电容充电,称为刷新,由专门的电路负责刷新。 一般微型机的内存条都属于DRAM。 2)ROM只读存储器 只能读出已存储的内容,不能随意写入,断电后数据也不会消失。通常用来存储操作系统的程序或用户固化的程序。其位置在主板上。 按电路机构不同,ROM分为以下四种: (1)PROM可编程只读存储器 PROM是厂家根据用户需求将芯片内二极管烧断来存储其内容,一般固化程序用,写入后不可更改。 (2)EPROM可擦除可编程只读存储器 用设备写入内容后,可用紫外光照擦除其内容,以便重新写入程序。 (3)EEPROM电可擦除可编程只读存储器 用设备写入内容后,可由加电擦除其内容,芯片可反复使用。 (4)闪存Flash Memory 2、外部存储器 由于内存容量的限制,一部分系统软件必须常驻内存,而有一些系统软件和应用软件则在用到时,再由外存送到内存,还有一些程序或者数据必须长期保存,构成内存的器件不能实现这些功能,故设计出外部存储器。 也称为外存,辅助存储器。 特点:容量大,可读可写,断电不消失,但存取速度慢,要专门设备来管理。 5.1.2 存储器组织 存储器系统随着微机系统的不同而有不同的配置。8位微机只有一个存储体(D0—D7),16位微机8086有两个存储器(D0—D7,D8—D15),32位微机有四个存储体。 5.1.3 存储器性能指标 1.存储容量 2.存取时间 3.功耗 4.可靠性 5.价格 5.2 随机存取存储器RAM 5.2.1 静态随机存储器SRAM 1、静态RAM的构成 一位存储单元由6个MOS管组成 特点:集成度低 功耗大 速度快 不需要刷新 静态RAM芯片的结构:地址译码器、存储矩阵、控制逻辑和三态数据缓冲器。 1)存储矩阵 存储数据的单元,基本存储单位是位,以字结构和位结构排成矩阵。 字结构:8位构成一个字节作为输出单位,对应8条数据线D0—D7。1K位的存储器芯片为128X8,包含128个字节,每个字节8位。 位结构:1位或小于8的若干位作为输出单位,对应1条或若干条数据线。1K位的存储器芯片为1024X1。 构成1KByte(1024X8)的存储器: 字结构:使用128X8的芯片,则需要8个芯片,串联使用。 使用位结构:使用1024X1的存储芯片构成1024X8的存储器,也需要8个芯片,采用并联结构 2)地址译码器 CPU读写一个存储单元时,先将地址送到地址总线,高位地址经译码后产生片选信号CS选中芯片,低位地址送到存储器,由地址译码器译码选中所需要的片内存储单元,最后在读写信号控制下将存储单元内容读出或写入。 3)控制逻辑与三态数据缓冲器 存储器读写操作由CPU控制,CPU送出的高位地址经译码后,送到逻辑控制器的CS端,CS有效,存储器芯片选中,允许对其进行读写操作,当读写控制信号RD,WR送到存储器芯片的R/W端时,存储器中的数据经三态数据缓冲器的D0—D7端送到数据总线上或将数据写入存储器。 2、静态RAM举例 典型的静态RAM芯片:2114(1KX4位) 6116(1KX8位)6264(8KX8位)62128(16KX8位)62256(32KX8位)

您可能关注的文档

文档评论(0)

xiaofei2001129 + 关注
实名认证
内容提供者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档