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2SK209
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
2SK209
Audio Frequency Low Noise Amplifier Applications
Unit: mm
• High |Y |: |Y | = 15 mS (typ.) at V = 10 V, V = 0
fs fs DS GS
• High breakdown voltage: VGDS = −50 V
• Low noise: NF = 1.0dB (typ.)
at VDS = 10 V, ID = 0.5 mA, f = 1 kHz, RG = 1 kΩ
• High input impedance: IGSS = −1 nA (max) at VGS = −30 V
• Small package
Absolute Maximum Ratings (Ta 25°C)
Characteristics Symbol Rating Unit
Gate-drain voltage VGDS −50 V
Gate current IG 10 mA
Drain power dissipation PD 150 mW
Junction temperature Tj 125 °C
Storage temperature range Tstg −55 to 125 °C
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of
high temperature/current/voltage and the significant change in
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the
JEDEC TO-236
reliability significantly even if the operating conditions (i.e.
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the JEITA SC-59
absolute maximum r
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