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2017-07-24 发布于江苏
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MIS电容器的平带电容的计算.pdf

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MIS电容器的平带电容的计算

维普资讯，： c 通妻毒耋量茎量推导出公式(A)和公式(B)，可用有关量直接精确计算出CPB。关键调：皇盎避 !皇查墨丝丝星虫查壬堂皇查一 3 TTMM夥劬、、垆垆 Computationofflat-bandcapacitanceCmsofM IScapacitor GONG Daoben (ZhongnanUniversityofNationalities，Wuhan430073．CHN) Abstract： Inordertostudythesurfaceslateofsmkonduetor．weusuallyuseC — V method，thekeyistodecidetheflat-bandcapacitanceCFeofM IScapaciptor．TogetCFB， cemmonwayistoFflteaSLLrethecapacitanceC ofisolatedlayerandimpurityconcentration NA (orNB)ofthesubstratefirstlyandthenlookup(CFB／C．)一C】curves．Thismethod iscon— venient，buttheseCurvesareusuallynotinhandandtheerrorsarelarger．Inthispaperltwo equationsconcerningtheseparametersrederivedlthroughwhichCFBcfffibecalculatedac— curately． Keywords： Capacitor，M ISCa pacitor．IosaitionLayerCa pacitancelFiat-handCa paci- tance 1 弓I言和金属形成的平板电容器十分相似．但又有重要的区别，因为半导体中带电粒子的密度比金由金属、绝缘体和半导体所形成的结构简属中的小得多．所以半导体中的充电电荷要分称 MIS结构．此结构就是一个MIS电容器．如布在具有一定厚度的表面层内。图 l所示。金属电极又叫栅极。它与由介质为便于分析起觅，文中讨论一种简单的理 ①1995—08—13收稿；1995—11一l0定稿维普资讯第 l7卷第 1期龚道表： MIS电容器的平带电容的计算想MIS结构，即设在绝缘层(I层)中和在绝缘式中，e。为真空介电常数；e．为半导体表面以层与半导体的界面上不存在电荷，也不存在界外的介质的介电常数；d；为绝缘层厚度，与 v 面态，并且在栅电压为零时，半导体中不存在无关；C；为常量。电场，能带是平直的。 22 外加电压大于零