1什么是半征半导体什么是杂质半导体各有什么特征 2N型 .DOC

1.什么是半征半导体？什么是杂质半导体？各有什么特征？ 2.N型半导体是在本征半导体中掺入____价元素，其多数载流子是_____，少数载流子是______。 3.P型半导体是在本征半导体中掺入_____价元素，其多数载流子是_____，少数载流子是______。 4.在室温附近，温度升高，杂质半导体中_______的浓度将明显增加。 5.什么叫载流子的扩散运动，漂移运动？它们的大小主要与什么有关？ 6.在室温下，对于掺入相同数量杂质的P型半导体和N型半导体，其导电能力_______ a. 两者相同； b. N型导电能力强； c. P型导电能力强 7.PN结是如何形成的？在热平衡下，PN结中有无净电流通过？ 8.PN结中扩散电流的方向是_______,漂移电流的方向是______。 9.PN结未加外部电压时，扩散电流______漂移电流；加正向电压时，扩散电流______漂移电流，其耗尽层______；加反向电压时，扩散电流______漂移电流，其耗尽层是______。 10.什么是PN结的击穿现象？击穿有哪两种？击穿是否意味PN结坏了？为什么？ 11.什么是PN结的电容效应？何谓势磊电容、扩散电容？PN结正向作用时，主要考虑什么电容？反向运动时，主要考虑何种电容？ 12.二极管的直流电阻和交流电阻有何不同？如何在伏安特性上表示？ 13.二极管的伏安特性方程为= (－1) 试推导二极管正向导通时的交流电阻＝＝ 室温下 =26mA，当正向电流为1mA、2mA时估算其电阻r的值 14.稳压二极管是利用二极管的______特性进行稳压的。 a. 正向导通 b. 反向截止 c. 反向击穿 15.二极管电路如图1－39所示，已知输入电压＝30（V），二极管的正向压降和反向电流均可忽略。试画出输出电压的波形。 16.电路如图1－40所示，＝5（V），试画出输出电压的波形 17.由理想二极管组成电路如图1－41所示，试确定各电路的输出电压。 18.为了使三极管能有效地起放大作用，要求三极管的发射区掺杂容度______；基区宽度______；集电极结面积比发射结结面积______，其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用（即三极管反接），能否起放大作用？ 19.三极管工作在放大区时，发射结为______，集电极为______；工作在饱和区时，发射结为______，集电极为______；工作在截止区时，发射结为______，集电极为______。 a. 正向偏置 b. 反向偏置 c. 零偏置 20.工作在放大区的某三极管，当从20uA增大到40uA时，从1mA变成2mA，它的约为______。（50、100、200） 21.工作在放大状态的三极管，通过发射结的电流主要是______，通过集电极的电流主要是______。 a. 扩散电流 b. 漂移电流 22. 当温度升高时，三极管的______，反向饱和电流______， ______。 23.某三极管，其＝0.98，当发射极电流为2mA时，基极电流是多少？该管的为多大？ 另一只三极管，其＝100，当发射极电流为5mA时，基极电流是多少？该管的多大？ 24.三极管的安全工作区受哪些极限参数的限制？使用时，如果超过某项极限参数，试分别说明将会产生什么结果。 25.放大电路中两个三极管的两个电极电流如图1－42所示。 （1）求另一个电极电流，并在图上标出实际方向。 （2）判断它们是NPN还是PNP型管，标出e、b、c极。 （3）估算它们的和值。 26.放大电路中，测得几个三极管三个电极电压、、分别为下列各组数值，判断它们是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管,并确定e、b、c。 (1) =3.3V, =2.6V, =15V (2) =3.2V, =2.6V, =15V (3) =6.5V, =14.3V, =15V (4) =8V, =14.8V, =15V 27.用万用表测量某些三极管的管压降得下列几组值，说明每个管子是NPN型还是PNP型，是硅管还是锗管，并说明它们工作在什么区域。 (1) =0.7V, =0.3V (2) =0.7V, =4V (3) =0V, =4V (4) =-0.2V, =-0.3V (5) =-0.2V, =-4V (6) =0V, =-4V 28.电路如图1－43所示，已知三极管为硅管，＝0.7V，＝50，可不计，若希望＝2mA，试求（a）图得值和（b）图得值，并将两者进行比较。