NexION 300S ICP-MS测定半导体级硫酸中的杂质.PDF

应 用 文 章 ICP-Mass Spectrometry 作者 Kenneth Ong Perk inElmer, Inc. Singapore Nex ION 300S 前言 ICP-MS测定半导体 制造半导体器件包括在基板上形成一个牺牲层。 通常，牺牲层由一个图形化的光阻层组成，这样 级硫酸中的杂质 就可以使离子注入基板，之后再用一种湿式蚀刻 溶液来消除图形化的光阻层。 通常情况下，蚀刻液由硫酸 （ ）和过氧化氢 （ ）配制而成，也被称为食人 H SO H O 2 4 2 2 鱼或臭氧硫酸。由于是与其他化学物质一起使用的，任何金属杂质的引入都将会对 IC器件的可靠性产生不利影响，因此需要使用的硫酸具有高纯度和高质量。SEMI标 准C44-0708对硫酸中的金属污染物按元素和等级规定了最大允许浓度。 由于具有快速测定各种工艺化学品中超痕量浓度 （ 或万亿分之）待测元素的 ng/ L 能力，电感耦合等离子体质谱仪 （ ）已成为了质量控制不可缺少的分析工 ICP- MS 具。然而，在传统的等离子体条件下，往往存在氩离子与基质成分结合产生多原 32 15 对4 7 + 32 16 2+ 64 + 对 子干扰的情况。硫酸中的部分干扰有： S N+ T i ， S O 对 Z n ，A rS+ 70-74 + 38 + 39 + 40 + 40 + 40 16 + 56 + ， 对 ， 对 ，以及 对 的干扰。 Ge Ar1H K Ar Ca Ar O Fe 动态反应池 （ ）使用四级杆质量过滤器建立动态带通 （ ），是消除目标元 DRC™ DBT 素干扰物的一种强有力的校正技术。使用非反应气体的碰撞池技术也被证明是一种 减少特定多原子干扰的简单可行的方法。PerkinElmer公司的NexION® 300 ICP-MS配 置的通用池技术 （ ）同时提供了动态反应池和碰撞池这 Universal Cell Technology™ 两种技术，使得能够在一个分析方法中使用所有的三种模式，即标准模式、碰撞模 式和反应模