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PN结反向特性Convertor
2.3.7 PN 结在反向电压下的特性
1载流子的运动情况
外加反向电压V (V 0)后，势垒高度由qVbi 增高到q（Vbi –V）， xd与|max |都增大，如图所示。
由于反向电流的来源是是少子，所以反向电流很小。
反向电流也由三部分构成，如图所示，空穴扩散电流；电子扩散电流；势垒区产生电流。
在势垒区中，R0，有电子空穴对的产生，其中电子被拉向N 区，空穴被拉向P 区，从而形成Jg。
2、反向扩散电流
外加反向电压时，边界条件、扩散方程、少子分布、扩散电流等的表达式在形式上均与正向电压时相同，只是由于V0 而在作进一步简化时有所不同。例如：N 区非平衡少子空穴的边界条件是：
反向PN 结的少子浓度分布图为：
总的扩散电流密度表达式为：
在V0且| V | kT/q 的条件下，PN 结反向扩散电流为：
此时反向电流达到饱和，不再随反向电压而变化，因此称电流 Io =Ajo为反向饱和电流，如图所示。
3、势垒区产生复合电流
由于Jr与Jg也有相同的表达式，因此可统一用Jgr表示：
4、对反向电流的讨论
当V 0 且 |V| kT/q 时，总的反向电流为 ( 以P+N结为例 ) ：
当T 较低时，以Jg为主；当T较高时，以Jd为主。EG越大，则由以Jg为主过渡到以Jd为主的温度就越高。室温下，Ge PN 结的反向电流中以Jd为主。GaAs PN 结以Jg为主。而Si PN 结则介于两者之间。三种PN结的反向特性如图所示。
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