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Stratix 10 SEU缓解用户指南 - Altera
Stratix 10 SEU 缓解用户指南
UG-S10SEU
2016.12.09
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内容
内容
1 SEU 缓解概述 3
1.1 SEU 缓解应用 3
1.2 配置RAM 3
1.3 嵌入式存储器 4
2 Stratix 10 器件中不同类型的SEU 缓解技巧 5
2.1 Stratix 10 器件中CRAM 的错误检测和纠错5
2.1.1 错误检测和纠错范围6
2.1.2 SEU 敏感度 6
2.1.3 层次标记7
2.1.4 评估您的系统对功能翻转的响应 8
2.1.5 从单粒子翻转中恢复8
2.2 存储模块错误纠正编码支持8
M20K 模块9
eSRAM 模块 9
2.3 三模冗余9
3 Stratix 10 SEU 缓解实现指南 10
3.1 使能内部擦除 10
3.2 SEU_ERROR 管脚设置 10
4 Stratix 10 SEU 缓解用户指南的文件修订历史 11
Stratix 10 SEU 缓解用户指南
2
1 SEU 缓解概述
1 SEU 缓解概述
单粒子翻转(SEU)指器件或系统中存储元件的状态发生了变化,通常发生在SRAM 中,这是由于宇
宙辐射影响所造成的。这个状态是一个软错误,将存储元件的状态改回其原始值,就可以修复这个
错误,而且不会对器件本身造成永久性损坏。由于非预期的存储状态,该器件可能会错误地进行操
作,直到修复了这个翻转。
软错误率(SER)表达为及时故障(FIT)单元,定义为每运行一百万小时出现一次软错误。由于发生的
几率很低,所以通常不需要考虑SEU 缓解。然而,对于高度复杂的系统,例如包含多个高密度器
件,错误率可能成为一个主要的系统设计因素。如果您的系统包括多个FPGA,并且要求非常高的可
靠性和可用性,那么您应该考虑到软错误带来影响,利用现有的技术来检测这些类型的错误,并且
从这些错误中恢复。
相关链接
• 单粒子翻转(SEU)的简介
• 了解FPGA 设计中的单粒子功能中断
1.1 SEU 缓解应用
®
Stratix 10 SEU 缓解特性能够帮助确保系统一直保持正常运行,避免由SEU 事件导致的功能异
常,或是解决关键的系统级SEU 事件。通常需要使用SEU 缓解功能的系统如下:
• 军事或航天—飞行系统
• 汽车或工业—安全应用
• 电信,数据中心或云计算—高系统运行时间
1.2 配置RAM
FPGA 在用户逻辑(大容量存储器和寄存器)以及配置RAM (CRAM)中存储数据。CRAM 是存储用户
设计的存储器。CRAM 配置器件中的所有逻辑和布线。如果SEU 发生在一个CRAM 比特位中,但
此CRAM 比特没有被使用,那么这次SEU 将是无害的。然而,如果它影响了关键逻辑内部信号布
线(例如查找表比特位),那么可能会出现功能性错误。
相关链接
Stratix 10 配置用户指南
提供了关于Stratix 10 器件中CRAM 和用户设计的更多信息。
Intel Corporation. All rights reserved. Inte
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