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二元化合物半导体的能带结构
第 卷 第 期 高 等 学 校 化 学 学 报 ,
年
二元化合物半导体 的能带结构
赵 深 赵 源
北京大学技术物理系
摘 要
、
本 文 用 法 计算 了属于 元 素半导体和 型 。 型化 合物 半
导体 的十 种共 价 结 构 的能 带 所得结 果说 明 它们 的禁带觉度 都可 统一 地
。
表 为键 能和 邻健 间共 扼 积 分的线性 函数 , 与共 价 结 构 的 形 式无 关 给 出许 多文
献用健性 质 归 纳 数 值规律 的理论基础 。
。 〔 〕
禁带 宽度 是半导体 的重要 参数 许 多文 献 报 告 了二 元化合物半导体 的数
值规律 , 探 讨 与组成元 素 的性质或 键性质 间 的关系 但是他们没有从理论 上对这些
规律存在 的必然 性作一般 地证 明, 也没有从理论 上给 出 是 否 与 共 价 结构 的形 式相
关 。 本 文尝试用 量 子理论对这些 问题 作初 步地探讨 。
、
以键 函数为基 函数用量子 化学方法 处理分 子或 晶体 的 电子 结构最早 的有唐敖庆 〔 〕
〔 , ,
彭桓 武 〕 他们 分别 以键 函数组合分子 的全 波 函数 给 出计算分子 结合 能 的公 式 以后
〔 〕 刚石 型和 型
又报 告 了用 法 处理金
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