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亚微米尺寸元件的离子束刻蚀制作-超分子结构与材料国家重点实验室.PDF

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亚微米尺寸元件的离子束刻蚀制作-超分子结构与材料国家重点实验室

第! 卷第# 期 光% 子% 学% 报 /012 ! ,02 # $$! 年# 月 % % % % % % % % % % % % ’( )*+(+,-’ .-,-’ 3456 $$! 亚微米尺寸元件的离子束刻蚀制作! : ! : : : : 曹召良% 陆% 广 % 王吉增 % 杨% 柏 % 卢振武% 李凤有 % 任智斌 % 刘玉玲 (: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,应用光学国家重点实验室,长春:!$$) ( 超分子结构与材料教育部重点实验室,吉林大学化学学院,长春 :!$$!) (! 白城师范学院,白城:!7$$$) 摘% 要% 采用软光刻技术中的微接触印刷( ’) )技术、表面诱导的水蒸气冷凝、表面诱导的去湿行 ! 为,在金基底上制作出了亚微米的环状周期结构聚合物掩膜G 通过对离子束刻蚀过程中各个参量 对刻蚀元件的表面光洁度、轮廓保真度和线宽分辨的影响分析,结合掩膜的实际情况选择出了合适 的离子束入射角、离子能量、束流密度和刻蚀时间等参量G 依照这些参量刻蚀出了高质量的亚微米 尺寸环状周期结构元件G 通过对刻蚀出的元件的检测发现,刻出的元件表面光洁度、轮廓保真度和 侧壁陡峭度都非常好G 关键词% 离子束刻蚀;亚微米;离子能量;束流密度;刻蚀速率;表面光洁度 中图分类号% % (,9$;G 8% % % % 文献标识码% % 案化的硫醇分子自组装单层膜(.JM );然后将具有 ! 引言 图案化.JM 的金基底冷却到露点以下,再放置在 衍射光学元件以其体积小、重量轻、易复制等优 饱和的水蒸气下以形成周期结构的水蒸气冷凝图案G 点深受人们重视G 但同时也由于其接近于微米尺寸 当冷凝图案形成后,立即将其浸入到). 的氯仿溶液 而难于制作G 近几十年来,随着集成电路工艺的飞 中,再立即从溶液中提出G 最后让氯仿和水在室温 速发展,使制作小尺寸的元件成为可能G 但制作亚 下自然挥发G 便形成了如图:(? )所示的环状周期 波长光栅难度依然很大,尤其是制作应用于可见光 结构聚合物掩膜G 波段的亚波长光栅,其周期是亚微米量级,因此如何 制作出高质量的亚微米尺寸元件便成为急需解决的 问题G 制作衍射光学元件的方法有多种[: H !],如可 [9 ] [; ] 通过金刚石切削 、离子束刻蚀 、等离子体刻 蚀[; ] [# ] 、反应离子刻蚀 、薄膜沉积等方法制作出亚 波长光栅G 其中离子束刻蚀以其刻蚀各向异性强、 线宽分辨率高、表面光滑、侧壁陡峭、面形误差小而 被广泛应用G 本文从这一点出发,通过控制离子束 刻蚀(-05 I6? J@11@5K )过程中的各种参量,制作出 高质量的亚微米尺寸元件G 由于元件的掩膜是利用 特殊的化学方法制作的,这就为制作周期结构的衍 射光学元件提供了一种新的思路和方法G 图:% 掩膜的NJ 平面图(? )和结果(O ):测得掩膜厚度为 # 掩膜的制作 :! 5,环的直径为G # ! ,掩膜特征尺寸为7$ 5 N@K2 :% (F6 NJ @?K6 (? )?5P 6?M

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