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亚微米尺寸元件的离子束刻蚀制作-光子学报
32 6 Vol. 32 No. 6
2003 6 A TA PHOTONI A SINI A June 2003
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1 2 3 2 1 1 1 1
曹召良 广 王吉增 杨 柏 卢振武 李凤有 任智斌 刘玉玲
( 1 , , 130022)
(2 , , 130023)
( 3 , 137000)
采用软光刻技术中的微接触印刷( P) 技术表面诱导的水蒸气冷凝表面诱导的去湿行
为,在金基底上制作出了亚微米的环状周期结构聚合物掩膜通过对离子束刻蚀过程中各 个参量
对刻蚀元件的表面光洁度轮廓保真度和线宽分辨的影响分析, 结合掩膜的实际情况选择出了合适
的离子束入射角离子能量束流密度和刻蚀时间等参量依照这些参量刻蚀出了高质量的亚微米
尺寸环状周期结构元件通过对刻蚀出的元件的检测发现, 刻出的元件表面光洁度轮廓保真度和
侧壁陡峭度都非常好
离子束刻蚀; 亚微米; 离子能量;束流密度; 刻蚀速率; 表面光洁度
TN40598 A
( PDMS)
0
( SAMs) ;
SAMs ,
, , PS
, ,
, 1(a)
, ,
[ 1~ 3] ,
[4] [5]
[5] [6]
,
( Ion Beam Milling) ,
,
1 图1 掩膜的AFM 平面图(a) 和结果(b) : 测得掩膜厚度为
193 nm, 环的直径为96 m, 掩膜特征尺寸为720 nm
( P) Fig. 1 The AFM image (a) and measured results (b) of the
[7] [8] mask,the height of the mask is 193 nm, the diameter of
, the ring is 9. 6 m,the linew idth of the ring is 720 nm
[ 910] , 2
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国家自然科学基金 教育部博士点基金和中国
科学院创新基金资助项目
,
Tel:0431 5684692 转 3666 Email: caozlok@ yahoo. com.
cn ,
收稿日期:2002 06 18 ,
654 32
,
[ 11]
: , ( h d
h/ d) ,
, , F( P ) = F ( 1- cos )
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