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低In电解液电沉积制备CuInSe 吸收层
年增刊 ( )卷
94 2012 Ⅰ 43
低 电解液电沉积制备 吸收层∗
In CuInSe
2
1 2 1 1 1
, , , ,
胡 飞 陈镜昌 付梦乾 文思逸 胡跃辉
( , , ;
1.景德镇陶瓷学院 材料科学与工程学院 江西省先进陶瓷材料重点实验室 江西 景德镇 333001
, )
2.香港理工大学 工业系统工程学系 中国 香港 999077
: ,
摘 要 通过线性电位扫描分析了低 电解液中的 理气相沉积方法调整薄膜的成分 最后制备的
In CIGS
2+
, 。
阴极电化学反应 结果表明柠檬酸钠可以降低 Cu 的 薄膜电池效率可达到 9.4% 本文在线性扫描结果分
, , 、 ,
活性 而 HSeO 的加入可导致 阴极上 Se元素与 析电化学沉积过程的基础上 在氯化铜 氯化铟 亚硒
2 3
2+ 3+
。 ,
和 发生复杂的协同反应 低 电解液中恒 酸和柠檬酸钠水溶液中 采用分段电位法在 FTO玻璃
Cu In In
, 。
, 基片上制备 薄膜 研究薄膜物相组成及化学成分
电位沉积的薄膜与 CIS的化学计量比相差较大 分段 CIS
电位的恒电位沉积得到的薄膜更接近于 CuInSe
2 实 验
2
( ) 。 ,
CIS化学计量比 薄膜在 N2 气氛上退火处理 得到
, ,
, 。 实验中采用三电极系统 饱和甘汞为参比电极
了黄铜矿结构CIS薄膜 禁带宽度为1.06eV Pt
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