光刻与等离子体刻蚀技术3.PDF

实验技术 光刻与等离子体刻蚀技术 刘 　之 　景 ( 中国科学技术大学天文与应用物理系　合肥　230026) 刘 　　晨 ( 中国科学技术大学电子工程与信息科学系　合肥　230027) 摘 　要 　　介绍了光刻与等离子体刻蚀技术的特点与进展 ,阐述了等离子体刻蚀的物理机制与前沿问 题. 关键词 　　光刻 ,等离子体刻蚀 ,物理机制 L ITHOGRAPHY AND PLASMA ETCHING TECHNOLOGY Liu Zhijin g ( Depart ment of Ast ronomy and A pplied Physics , U niversity of Science and Technology of China , Hef ei 　230026) Liu Chen ( Depart ment of Elect ron Engineering and Inf ormation Science , U niversity of Science and Technology of China , Hef ei 　230027) Abstract 　　The characteristics and progress of lithography technique and plasma etching technolo gy are summarized. Their physical mechanisms and current research problems are also explained. Key words 　　lithography , plasma etching , physical mechanism 表 1 　IC 发展趋势 1 　引言 年 1995 1998 2001 2004 2007 2010 技术指标 μ 特征尺寸/ m 0 35 0 25 0 18 013 0 10 007 ( 巴丁、布拉顿和肖克莱 Bardeen ,Brattain , DRAM 集成度/ bit 64M 256M 1G 4 G 16G 64 G Shockley) 于 1947 年发明了第一支晶体管 , 芯片面积/ mm2 190 280 420 640 960 1400 ( ) 晶面直径/ mm 200 200 300 300 400 400 1960 年德克萨斯仪器公司 Texas Instruments ( ) 逻辑互连层数 4 —5 5 5 —6 6 6 —7 7 —8 制造了第一块集成电路 IC , 以后的发展突飞 ( ) 猛进 ,高登·莫尔 Gordon Moore 观察到集成电