内湖高级工业职业学校九十二学年度暑假课辅班.DOC

電子學 ch2 一、單選題　(?題 每題?分 共?分) ( )?. ( )?. ( )?. 對一處於絕對零度〔0°K〕之本質半導體，在此本質半導體之兩端加一電壓；若此本質半導體並未發生崩潰，則在本質半導體內 (A)有電子流，也有電洞流 (B)有電子流，但沒有電洞流 (C)沒有電子流，但有電洞流 (D)沒有電子流，也沒有電洞流。 ( )?. ( )?. PN二極體接面附近所形成之接觸電勢的極性是(A)視偏壓而定(B)視溫度而定 (C)P端為負N端為正 (D)P端為正N端為負。 ( )?. 霍爾效應(Hall effect)最主要是用來決定 (A)金屬內電阻大小(B)半導體內原子結構(C)金屬內之溫度係 (D)判別半導體為P型或N型。 ( )?. 純矽半導體本質濃度Nt=1.5×1010原子/cm3，其密度為5×1022原子/cm3，若每個108個矽原子加入一個硼原子，則將成為何種類型半導體，又電子濃度為多少? (A)N型，4.5×105電子/cm3 (B)N型，5×1014電子/cm3 (C)P型，4.5×105電子/cm3 (D)P型，5×1014電子/cm3。 ( )?. 一原子失去電子後，其游離後將變成 (A)不帶電 (B)帶正電的離子 (C)帶負電的離子 (D)可能帶正電亦可能帶負電。 ( )?. N型半導體於鍺或矽中加入之雜質為 (A)三價 (B)四價 (C)五價 (D)以上各價均可能。 ( )?. ( )?. 電阻之I－V特性曲線為： ( )?. 下列何種二極體通常工作於逆向偏壓? (A)變容二極體 (B)透納二極體 (C)發光二極體 (D)蕭特基二極體。 ( )?. 齊納二極體常應用於 (A)放大 (B)濾波 (C)整流 (D)穩壓 電路。 ( )?. ( )?. N型半導體所加之雜質為 (A)二價 (B)三價 (C)四價 (D)五價。 ( ) ( )?. ( )?. 可利用作頻率調變的二極體是 (A)過渡電容 (B)擴散電容 (C)雜散電容 (D)順向電容。 ( )?. 過渡電容CT的大小 (A)與外加逆向偏壓成正比 (B)與外加逆向偏壓成反比 (C)與其順向偏壓電流成正比 (D)與其順向電流成反比。 ( )?. 一PN接面之障勢係由接面兩端之電荷建立，該電荷為 (A)主要載子 (B)副載子 (C)固定之施體及受體離子 (D)自由電子。 ( )?. N型鍺材料中，有較多的自由電子，因此其所帶電性為 (A)帶有正電 (B)帶有負電 (C)偶有帶電 (D)不帶電。 ( )?. 當P型及N型半導體接觸時，即會產生一空乏層，而P型半導體之空乏層內應有 (A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子。 ( )?. PN二極體接面附近所形成接觸電勢(contact potential)的極性是 (A)視偏壓而定 (B)視溫度而定 (C)P端正，N端負 (D)P端負，N端正。 ( )?. PN二極體是 (A)線性元件 (B)非線性元件 (C)拋物線元件 (D)以上皆非。 ( )?. 做了雜質擴散後的Si晶片，每108個Si原子就有一個B(硼)原子，則室溫下，此晶片每立方釐米(cm3)中含有的電洞數目為 (A)5.0×1014 (B)3.0×1010 (C)1.0×108 (D)2.25×1012。 ( )?. ( )?. 一般PN二極體兩端順向電壓隨溫度變化的情形是 (A)－2.5mV/℃ (B)+25mV/℃ (C)+2.5mV/℃ (D)－25mV/℃。 ( )?. 某矽二極體在溫度20℃時之逆向飽和電流為5nA，若溫度上升至50℃時，則逆向飽和電流變為 (A)150nA (B)100nA (C)4nA (D)40nA。 ( )?. 在N型半導體材料中，有較多的自由電子，因此其所帶之電性為 (A)負電 (B)正電 (C)不一定 (D)電中性。 ( )?. 下列何種效應，可測知半導體是N型或P型? (A)霍爾效應 (B)光電效應 (C)壓電效應 (D)熱電效應。 ( )?. 矽二極體的兩端施加直流電壓為0.9伏特，並測得電流為10毫安培，則此二極體的靜態電阻為 (A)90歐姆 (B)90仟歐姆 (C)900歐姆 (D)100仟歐姆 (E)