半导体硅上电沉积Ni-Pd-P 薄膜及其结构.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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半导体硅上电沉积Ni-Pd-P 薄膜及其结构

16 1 Vol.16 No.1 1999 2 　　　CHINESE JOURNA L OF APPLIED CHEMIST RY 　　　 Feb.1999 Ni-Pd-P ＊1 2 2 1 1 刘　冰　姚素薇　郭鹤桐　袁华堂　张允什 1 2 (　 300071;　) 　　 Ni-Pd-P , H PO 3 3 P、Ni , Pd . pH , , Pd、P .P , P 1.49%Ni-Pd-P , P 2.6 1%, , P 3.50%, .Ni-Pd-P , P 2.00% Ni-Pd-P .P 4.00%. 　, Ni-Pd-P , , ,Au 、、 , ., ., . [1 ～3] 、,70%Pd Ni-Pd Au . ., Ni-Pd [4] , , . [5] , ,P [5] . ,P , , .Si Ni-Pd-P , .,, Ni-Pd-P ., , X ,. 1　 1.1　 Ni-Pd-P :Pd (Ac)2 :0.018 mol/L;NiSO4 ·6H2O: 0.1～1.0 mol/L;H PO :0.005 ～0.2 mol/L;:0.08 mol/L;pH=2 ～6;40 ℃. 3 3 p Si (111), Ga-In ,、、, .2 10 min . 1.2　　 D/ma -RB X ,CuK .X-650 PV-9100 α . 1998-07-13 , 1998-11-09 1 :Ni-Pd-P 17　　 2 　 2.1　H3PO3 pH NiSO ·6H O 0.1 mol/L,pH 4.0, 40 ℃. 4 2 -0.23 ～-0.39 V (), , .5 mV/s.-1.1 V.10 min Ni-Pd-P,H3PO3 1 . H PO P , P 3 3 .,H PO ,P ,Ni . 3 3 H PO P、Ni ,Pd . 3 3 1　H PO 3 3 2　pH NiSO 1 mol/L,H PO 0.2 mol/L, 40 ℃,pH 4 3 3 2.0 6.0 , 2 Ni、Pd、P .,P pH ,, Pd .pH , ,., pH 4 . P ,-0.74 V (vs.SCE),-0.75 V P[6] . - + - H PO +2H +2e H PO +H O (1)