国立杨梅高级中学89学年度第一学期第二次平时考考试卷使用班级科.DOC

一、是非題：(每題2分) ( ○)電子伏特是能量的單位，leV=l.6 ×10-19焦耳。 ( ○)若將五價雜質摻入純矽(或鍺)中，就形成N型材料。 ( ×)PN接合面所形成的空乏區中含有自由電子及電洞。 ( ○)PN二極體接面所形成的障壁電勢，其極性是P端負，N端正。 (○ )擴散電容CD隨順向偏壓之增大而增大，成正比關係。 ( ○)二極體的好壞可以用三用電表來測量，即順向偏壓時成低阻抗，逆向偏壓時成高阻抗。 ( ○)當稽納二極體之摻雜濃度增加時，稽納電位將隨之降低。 ( ×)稽納二極體在正常工作時，通常接上順向偏壓。 ( ○)變容二極體之電容量將隨逆向偏壓之增大而減少。 (○ )N型物質中的多數載體是自由電子，少數載體是電洞。 ( ×)當溫度上升時，主要載子將大量增多。 ( ×)變容二極體，其電容CT之大小是與外加逆向偏壓成正比。 ( ×)本質半導體比含雜質的半導體有更好的導電性。 (○ )N型物質中的多數載體是自由電子，少數載體是電洞。 ( ×)當溫度上升時，主要載子將大量增多。 ( ×)本質半導體內，自由電子數多於電洞數。 ( ×)本質半導體比含雜質的半導體有更好的導電性。 (○ )二極體P端接正電壓，N端接負電壓，稱之為順向偏壓。 (○ )二極體若能加順向偏壓時，則障壁能量降低，空乏區寬度減小。 ( ×)在本質半導體內摻入三價雜質即可成為N型半導體。 二、選擇題(每題3分) ( C )當P型及N型材料相接觸時，即會產生一空乏層，而P型半導體之空乏層內應有 (A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子。 ( C )障壁電勢乃是其區域內有 (A)電子 (B)電洞 (C)正離子及負離子 (D)正負電壓。 ( C )一般的矽質PN二極體導通時，兩端的電位差約為 (A)1.2(B)0.9 (C)0.6 ( D )0.2 伏特。 ( C )在P型半導體中，傳導電流的載子主要是 (A)電子 (B)離子 (C)電洞 (D)質子。 ( B )二極體接逆向偏壓時，空乏區寬度 (A)不變 (B)變大 (C)變小 (D)不一定。 ( D )整塊N型半導體是呈現 (A)負電性 (B)視雜質原子序數而定 (C)正電性 (D)電中性。 ( D )稽納二極體通常是工作於 (A)順向電壓(B)零電壓(C)逆向低電壓 (D)逆向崩潰電壓。 ( C )LED所發出光的顏色與 (A)外加電壓有關 (B)電流大小有關 (C)二極體的材料合成成分有關 (D)以上皆是。 ( A )下列何者為半導體? (A)矽 (B)鋁 (C)砷 (D)硼。 ( B )將硼元素摻進純矽晶體內，則成為 (A)N型 (B)P型 (C)I型。 ( B )雜質半導體的電流載子(carrier)有 (A)一種 (B)二種 (C)三種 (D)四 種。 (C )當P型及N型半導體接觸時，即會產生一空乏層(depletion layer)，而P型半導體之空乏層內應有 (A)電洞 (B)電子 (C)負離子 (D)正離子。 ( B )半導體PN接合面，在P型之空乏區出現 (A)正電性 (B)負電性 (C)中性 (D)以上皆非。 ( B )矽質二極體在常溫下，其切入電壓(cutin voltage)約為 (A)0.2V~0.3V (B)0.5V~0.7V (C)1.2V~1.5V (D)以上皆非。 ( A )一般PN二極體兩端順向電壓隨溫度變化的情形是 (A)-2.5m(B)+25m (C) +2.5m (D) –25 mV/℃。 ( A )PN接合二極體之逆向飽和電流，溫度增高10℃，其值將增為原有的(A)2倍(B)3倍(C)4倍(D)5倍。 ( D )純矽半導體本質濃度Ni=1.5 ×l010原子/cm3，其密度為5 ×1022原子/cm3 ，若每108個矽原子加入一個硼原子，則電子濃度為多少? ( A) 5 ×1014 (B) 3.5 ×1012 (C) 4.5 ×1014 (D) 4.5 ×105 電子/cm3 ) ( C )如圖所示電路當Vi =12V時，Vo等於多少伏特? (A) 12 V (B) 10 V (C) 8V (D) 0.7V ( D)圖所示電路中，欲使IZ=18mA，則R值應為若干? (A) 2.5 (B)1.5 (C)0.5 (D)1 KΩ。 ( A)如圖所示之電路，Vz=10V，電流範圍為l0mA ~ 50mA，則RL在哪一範圍內，可使工作電壓不致發生變化?(A) 0.11 KΩ ~0.2 KΩ(B) 1.1 KΩ ~ 2 KΩ(C) 11 KΩ ~2 0Ω(D) 11Ω ~20Ω。 國立楊梅高級中學 89 學年度第一學期 第二次平時考 考試卷 使用班級 科 目 電子學 命題老師 彭 煥 宏 範 圍 第二章 班別: 座號: