填隙基质原子.PDF

填隙基質原子 •在一定的溫度下，弗侖克爾缺陷的產生和復合的過程相平 衡 。 •晶體 表面上的原子跑到晶體內部的間隙位置，這時晶體內 部只有填隙原子 。 •在一定溫度下，這些填隙原子和晶體表面上的原子處於平 衡 狀態。 6 填隙型雜質原子 •由於形成填隙原子所需要的能量比形成肖特基 空位缺陷的 高，故在溫度不太高時，肖脫基缺陷存在的可能性要比弗 侖克爾缺陷的可能性大得多。 •但是 對於某些特殊情形，特別是當外來的雜質原子比晶體 本身的原子小時，這些比較小的外來原子很可能存在於間 隙位置 。 7 置換型雜質原子 •為了有目的地改善晶體的某種性能，常常有控制地在晶體 中引進某類外來原子（離子），形成替位式 雜質。 •如在半導體的製備過程中，在高純的鍺、矽單晶體中有控 制地摻入微量的三價雜質硼、鋁、鎵、銦等或微量的五價 雜質磷、砷、銻等，可以使鍺、矽的電學性能有很大的改 變。 8 線缺陷（line defect ） 差排（dislocation ） • 差排是指晶體材料的一種內部微觀缺陷，即原子的局部不 規則排列（晶體學缺陷） 。 •理想差排主要有兩種形式：刃差排（edge dislocations ）和 螺旋差排（ screw dislocations ）。然而實際晶體中存在的差 排往往是混合型差排，即兼具刃型和螺型差排的特徵。 9 Reference • /course/course/10/build/lesson6-2.htm • .tw/assets/documents/224/original/d41 d8cd98f00b204e9800998ecf8427e.pdf • /wiki/%E4%BD%8D%E9%94%99 • http://www.ltas- cm3.ulg.ac.be/FractureMechanics/img/Picture34_overview.png • /AMuseum/crystal/4505.html • /wiki/%E9%9D%A2%E7%BC%BA%E 9%99%B7 • /view/591896.htm 13 Thanks for your attention.