学习任务1习题.DOC

一、填空题 1. 当温度升高时，由于二极管内部少数载流子浓度 ，因而少子漂移而形成的反向电流 ，二极管反向伏安特性曲线 移。 2. 半导体稳压管的稳压功能是利用PN结的 特性来实现的。 3. 二极管P区接电位 端，N区接电位 端，称正向偏置，二极管导通；反之，称反向偏置，二极管截止，所以二极管具有 性。 4. 在本征半导体中掺入 价元素得N型半导体，掺入 价元素则得P型半导体。 5. PN结在 时导通， 时截止，这种特性称为 。 6. 光电二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 7. 发光二极管能将 信号转换为 信号，它工作时需加 偏置电压。 8. 二极管按PN结面积大小的不同分为点接触型和面接触型， 型二极管适用于高频、小电流的场合， 型二极管适用于低频、大电流的场合。 9. 二极管反向击穿分电击穿和热击穿两种情况，其中 是可逆的，而 会损坏二极管。 10. 半导体中有 和 两种载流子参与导电，其中 带正电，而 带负电。 11. 本征半导体掺入微量的五价元素，则形成 型半导体，其多子为 ，少子为 。 12. PN结正偏是指P区电位 N区电位。 13. 温度升高时，二极管的导通电压 ，反向饱和电流 。 14. 普通二极管工作时通常要避免工作于 ，而稳压管通常工作于 。 15. 构成稳压管稳压电路时，与稳压管串接适当数值的 方能实现稳压。 16. 纯净的具有晶体结构的半导体称为 ，采用一定的工艺掺杂后的半导体称为 。 17. 在PN结形成过程中，载流子扩散运动是 作用下产生的，漂移运动是 作用下产生的。 18. PN结的内电场对载流子的扩散运动起 作用，对漂移运动起 作用。 19. 发光二极管通以 就会发光。光电二极管的 随光照强度的增加而上升。 20. 硅管的导通电压比锗管的 ，反向饱和电流比锗管的 。 21. 导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称为 。 22. N型半导体中，主要依靠 来导电。P型半导体中，主要依靠 来导电。 23. PN结具有 性能。 24. PN结的正向接法是将电源的正极接 区，电源的负极接 区。 25. 硅二极管的死区电压约为 V，锗二极管的死区电压约为 V 。 二、选择题 1. 当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ ）。 A. 左移，下移 B. 右移，上移 C. 左移，上移 D. 右移，下移 2. 在PN结外加正向电压时，扩散电流 漂移电流，当PN结外加反向电压时，扩散电流 漂移电流。 A. 小于，大于 B. 大于，小于 C. 大于，大于 D. 小于，小于 3. 设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程为（ ） A. B. C. D. 4. 下列符号中表示发光二极管的为（ ）。 5. 稳压二极管工作于正常稳压状态时，其反向电流应满足( )。 A. ID = 0 B. ID IZ且ID IZM C. IZ ID IZM D. IZ ID IZM 6. 杂质半导体中（ ）的浓度对温度敏感。 A. 少子 B. 多子 C. 杂质离子 D. 空穴 7. 从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ ）时处于正偏导通状态。 A. 0 B. 死区电压 C. 反向击穿电压 D. 正向压降 8. 杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于（ ）。 A. 温度 B. 掺杂工艺 C. 掺杂浓度 D. 晶体缺陷 9. PN结形成后，空间电荷区由（ ）构成。 A. 电子和空穴 B. 施主离子和受主离子 C. 施主离子和电子 D. 受主离子和空穴 10. 硅管正偏导通时，其管压降约为（ ）。 A 0.1V B 0.2V C 0.5V D 0