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第一章硅、锗的化学制备 ㈠ 比较三氯氢硅氢还原法和硅烷法制备高纯硅的优缺点? 答：1.SiHCl3氢还原法: 优点 : 产量大、质量高、成本低，由于SiHCl3中有一个Si-H键，活泼易分 解，沸点低，容易制备、提纯和还原。 缺点：B、P杂质较难去除（基硼、基磷量），这是影响硅电学性能的主要 杂质。 2.硅烷法： 优点: 杂质含量小；无设备腐蚀；不使用还原剂；便于生长外延层。 缺点: 制备过程的安全性要求高。 ㈡ 制得的高纯多晶硅的纯度：残留的B、P含量表示（基硼、基磷量）。 ㈢*精馏提纯：利用混合液中各组分的沸点不同来达到分离各组分的目的。 第二章、区熔提纯 1. 以二元相图为例说明什么是分凝现象？平衡分凝系数？有效分凝系数？ 答：如图是一个二元相图，在一个系统中，当系统的温度为T0时，系统中有 固相和液相。由图中可知，固相中杂志含量CsCL （液相中杂志成分）。 1、 这种含有杂志的晶态物质熔化后再结晶时，杂志在结晶的固体和未 结晶的液体中浓度不同的现象叫做*分凝现象。 2、 在一定温度下，平衡状态时，杂质在固液两相中浓度的比值K0=CS/CL 叫作平衡分凝系数。 3、 为了描述界面处薄层中杂质浓度偏离对固相中的杂质浓度的影响， 把固相杂质浓度CS与熔体内部的杂质浓度CL0的比值定义为*有效分凝 系数。Keff=CS/CL0 2. 推导BPS公式，说明各个物理量的含义并讨论影响分凝系数的因素。 答：*BPS公式推导：书P21~P23 式中：K0为平衡分凝系数；Keff为有效分凝系数；f为固液相面的的移动 速度；δ为扩散层厚度；D为扩散系数。 影响分凝系数的因素： ①当f 远大于D/δ时, fD/δ→+∞,exp(-fD/δ) →0,Keff→1, 即固液中杂质浓度差不多.分凝效果不明显。 ②当f 远小于D/δ时, fD/δ→0,exp(-fD/δ) →1,Keff→K0,分 凝效果明显。 ③扩散层厚度和扩散系数，D/δ越小，分凝结果越差。 3. *分别写出正常凝固过程、一次区熔过程锭条中杂质浓度Cs公式，说明各个物 理量的含义。 答：正常凝固过程： 一次区熔过程： 式中：K为Cs与熔体中平均杂质浓度的比值；C0为原样品中杂质的平均浓 度；l为区熔过程中的熔区长度。 4. 说明为什么*实际区熔是，最初几次要选择大熔区后几