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021第十一周习题课_654305518.pdf
电子电路与系统基础
第十二周习题课
一、期中考试讲解
二、第九周数字系统中的状态记忆单元作业讲解(部分)
李国林 闻和
清华大学电子工程系
一、期中考试情况
• 258人参加考试
– 卷面平均分77.5分
• 60 43人 16.7%
• 60-70 27人 10.5%
• 70-80 47人 18.2% 72.8%
• 80-90 78人 30.2% 54.6%
• 90 63人 24.4%
李国林 电子电路与系统基础 清华大学电子工程系 2011年秋季学期 2
二、作业讲解
• 寄生电容效应作业讲解(部分)
李国林 电子电路与系统基础 清华大学电子工程系 2012年秋季学期 3
作业02 数字非门的上升时间估算
• 课件只计算了数字非门通过nMOS放电过程
中,下降沿时间Tfall和下降延时PHL
• 用同样的分析过程,分析数字非门通过
pMOS充电过程,上升沿时间Trise和上升延
时 C 300fF V 3.3V
PLH DD
– 近似估算公式 W 2
k C 300A V
p p ox L
– Matlab编程数值法求得精确的时间
• 比较近似公式和精确值之间差别多大
– 作业04要求的内容,作业04取消 V V 3.3V
H DD
V 0.7V
TH ,p V GND 0V
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李国林 电子电路与系统基础 清华大学电子工程系 2011年秋季学期 4
C 300fF V 3.3V V V 3.3V V GND 0V
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k C W 300A V2 V 0.7V
p p ox TH ,p
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