EM4550A5WS7中文资料(EM Microelectronic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdfVIP

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2017-07-15 发布于浙江
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EM4550A5WS7中文资料(EM Microelectronic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」.pdf

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EM4550A5WS7中文资料(EM Microelectronic)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

芯片中文手册,看全文,戳easyds.cn - MARIN SA EM4450 EM4550 1千比特读千比特读/写非接触式识别装置写非接触式识别装置描述描述特征特征该EM4450/4550是CMOS集成电路设计用于电子读/写射 1 KbitEEPROM组织在32个字32位频转发器使用. EM4450和EM4550之间区别在于,EM45 32位器件序列号（只读激光ROM） 50进行凸块,并具有megapads对于两个线圈.该芯片 32位设备识别（只读激光ROM）包含1千比特EEPROM,可以由用户来配置,允许写入禁止区,读出防护护区,和一个连续地读区域输出功率上上电复位序列 . 电源检查EEPROM写操作用户定义只读存储器区电源存储器可以通过使用所有写入和读防护护操作32位密码被固定.密码可以被更新,但从来不看.固定代码序列号用户定义禁止写入存储区和设备标识是激光编程尽一切芯片独一无二. 用户定义读防护护存储区由幅度调制执行数据传输两个数据速率选项2大骨节病（Opt64）或4万桶（Opt32）场频位周期= 64或32学时 EM4450/4550将数据传输到所述收发信机通过调制电磁场幅度,并且接收以类似方式数据和命令.简单命令将使写 170 pF±2％片上谐振电容 EEPROM,更新密码,读取特定内存区域,并重置逻 -40至+ 85°C温度范围辑. 100至150 kHz场频范围片上整流器和电压限制由于无需外部电源缓冲电容低功率消耗该调谐电路线圈是唯一需要外部元件,所有剩余功能集成在可在大批量生产和PCB和芯片形式芯片中.