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金属离子掺杂的lu2si2o7 的第一性原理研究 - 物理学报
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First-principles study on cation-doped
Lu2Si2O7
Article in cta Physica Sinica -Chinese Edition- · February 2013
DOI: 10.7498/aps.62.147101
CIT TIONS RE DS
0 19
3 authors, including:
Hong Fang
University of Cambridge
15 PUBLIC TIONS 97 CIT TIONS
SEE PROFILE
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物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 14 (2013) 147101
金属离子掺杂的Lu Si O 的第一性原理研究*
2 2 7
1† 2 3
林玲 朱家杰 方弘
1) ( 中国科学院福建物质结构研究所, 福州 350002 )
2) ( 同济大学物理系, 上海 200092 )
3) ( Department of Earth Sciences, Fitzwilliam College University of Cambridge, Cambridge CB4 3JL, United Kingdom )
( 2013年2月26 日收到; 2013年4月1 日收到修改稿)
焦硅酸镥掺铈(LPS:Ce) 具有突出的闪烁性能, 比如高光产额和快衰减, 但晶格中的氧空位会影响其闪烁性能.
本文通过第一性原理方法研究了Li, Na, Mg 和Ca 在LPS 中的稳定性和对氧空位的影响. 结果表明: 在缺氧环境下,
这些离子倾向于占据间隙位, 从而可能抑制氧空位. 分析了杂质离子对LPS 电子结构的影响.
关键词: 第一性原理, 焦硅酸镥, 杂质缺陷
PACS: 71.15.−m, 78.70.Ps, 91.60.Ed DOI: 10.7498/aps.62.147101
了氧空位和其他缺陷. 由于氧空位会显正电性, 如
1 引言 果在其周围格点上已经存在带正电的缺陷, 那么根
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