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化学腐蚀硅表面结构反射率影响因素的研究!.pdfVIP

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化学腐蚀硅表面结构反射率影响因素的研究!.pdf

第40卷 第2期 电 子 器 件 Vol40  No2 2017年4 月 ChineseJournal of Electron Devices Apr. 2017 The Research on Influence Factors of Silicon Surface Reflectivity∗ CHEN ChengꎬHONG Wei∗ (School of Electronic and Optical EngineeringꎬNanjing University of Science and TechnologyꎬNanjing 210094ꎬChina) Abstract:We studied the process of monocrystalline silicon corrosion and reflectivityꎬwhich measured by UV ̄visible spectrophotometer.Thedensityof alkalineꎬthecorrosiontimeꎬthedifferenttypesof additivesꎬandtheadditiveconcen ̄ tration have been considered. As a resultꎬto obtain lower reflectivityꎬthe concentration of a solution of alkali and corrosion time play a decisive role.The low average reflectivityꎬgood repeatability and ideal reducing corrosion fluid can be obtained. In the condition that at 80 ℃ꎬthe concentration of NaOH is 15 g/ LꎬAnhydrous ethanol volume fraction of 10% and the corrosion time is30 minꎬthe surface reflectivity of 11.15% on silicon can be obtained . Key words:alkaline corrosionꎻreflectivityꎻanti ̄reflection structureꎻetching solution - EEACC:2550G        doi:10.3969/j.issn.1005 9490.2017.02.002 化学腐蚀硅表面结构反射率影响因素的研究∗ 陈  程ꎬ洪  玮∗ (南京理工大学电子工程与光电技术学院微纳研究所ꎬ南京 210094) 摘  要:单晶硅片在碱溶液中的腐蚀会引起表面结构的变化ꎬ利用紫外可见分光光度计测量硅片表面反射率ꎬ发现碱溶液的 浓度、腐蚀时间、添加剂的选择(无水乙醇或异丙醇)以及添加剂的浓度均对硅片表面反射率有影响ꎮ 比较几个因素发现碱溶 液的浓度和腐蚀时间对硅片表面反射率影响最大ꎮ 当腐蚀温度为80 ℃ꎬNaOH 固体浓度为15 g/ Lꎬ添加剂无水乙醇体积分数 10%时ꎬ腐蚀30 min得到硅片反射率最低ꎬ达到11.15%ꎮ 关键词:碱腐蚀ꎻ反射率ꎻ减反结构ꎻ腐蚀液 - - - 中图分类号:TM914        文献标识码:A        文章编号:1005 9490(2017)02 0272 04     随着光电探测器和太阳能电池的广泛应用ꎬ硅片 备ꎮ 如Vazsonyi E 等人对 NaOH 溶液中以异丙醇 [1] [2] (IPA)作为添加剂进行了系统研究ꎬ

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