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单晶圆注入机注入角度测量与补偿系统设计!.pdf
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单晶圆注入机注入角度测量与
补偿系统设计
袁卫华，钟新华，彭立波
1
(中国电子科技集团公司第四十八研究所，湖南长沙41011)
摘 要：在超大规模集成电路生产线宽45nlTl及以下的注入工艺环节中。离子束注入晶圆角度
精度控制变得愈显重要，注入角度的细小差别引起掺杂元素在晶体管中的分布深度和范围的变
化，进而导致器件参数和性能的巨大变化。研究表明注入角度控制取决于对注入离子束与晶圆面
法线间水平和竖直方向角度测算的精确度；系统能精确测量出离子束注入角度．然后通过补偿驱
动旋转靶台到相应需求的角度后注入，满足工艺需求。
关键词：单晶圆；注入机；角度；测量；补偿
中图分类号：TN305 文献标识码：A 1．05
文章编号：1004—4507(2017)02—001
of Measurementand
DesignInjectionAngle Compensation
forIon Wafer
System ImplanterbySingle
YUAN
Weihua，ZHONGXinhua，PENGLibo
48mResearchInstitute 41 1
(The of 01 1，China)
CETC，Changsha
Abstract：Inthe ofwide45nnl the link
productionprocess and intotheultra scale
following large
circuitofionbeam wafer controlbecomesmoreandmore
integrated implantationangleprecision
small
differencecausedthe ofthedistributionofthe and
important，with angle by change depthrange
of elementsinthe to in
doping transistor，whichleads device and
greatchanges parameters
on of control onthemeasurementofionbeam
performance．Studyanalysisinjection
angle depends
and surfacenormals
wafer betweenhori
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