LED 制造技术LED 制造技术.PDF

LED LED 製造技術製造技術製造技術製造技術 製造技術製造技術製造技術製造技術 LED 的製造流程的製造流程 的製造流程的製造流程 a. a. b. c. b. f. d. e. c. d. e. f. 單晶成長法單晶成長法 單晶成長法單晶成長法 單晶成長法單晶成長法 單晶成長法單晶成長法 單晶成長法單晶成長法 單晶成長法單晶成長法 單晶成長法單晶成長法 單晶成長法單晶成長法 o o o 2 10 15 包裝: epi-ready 用真空包裝防止substrate 污染及氧化 SI基板的製造過程基板的製造過程 基基板的製造過程板的製造過程 基板製程基板製程 基板製程基板製程 1. 長晶 CZ長晶法是將晶種浸入裝了熔湯的坩堝中 ， 藉著轉動晶體攪拌熔湯 ，由熔湯提拉成長單晶。 半導體矽晶(Si)及鍺晶(Ge)已藉由此法產業化多 年，並應用在多種單晶製造 。 長晶的起始原料為鈮酸鋰／鉭酸鋰多晶塊 ，而多晶塊的組成 通常以Li／Nb (或Li／Ta) 的莫耳比為0.93~0.95 的Li2CO3 及 NbNb22OO55 (Ta(Ta22OO55) ) 的粉料均勻混合並將其壓塊燒結為起始原料的粉料均勻混合並將其壓塊燒結為起始原料 ，， 將此原料放入坩堝中加熱使之熔化成液狀 。 待坩堝中的原料熔化後 ，將確定晶向的晶種浸入熔湯液面， 藉由適當的溫度控制使晶種前端達到縮頸且液固態之平衡狀 態確定後開始提拉。逐步將熔湯的溫度緩慢下降，使晶體擴 大形成肩部達到需要的直徑 。 此時要不斷調整拉速並控制溫度 ，維持晶體直徑在一定的大 小，直到適當長度 ，再將晶棒的直徑慢慢縮小至一尖點即與 液面分離 ，晶工作即告完成。 2. 長晶棒段面切割與外徑研磨 長成之單晶的兩端依需要的晶向切斷去除直 徑不足之晶冠及晶尾 ，並利用研磨機以滾輪 磨削的方式來修整晶棒的外徑 ，以達到所需 要的尺寸與邊緣形狀 。 3. 切片 將滾圓後的晶棒利用覆有漿料的鋼線切割 成具有準幾何尺寸的薄晶片 。在切片的過 程中 ，晶片的厚度變異，撓曲度及損傷層 的深度等都會對接下來的加工精準度產生影響。 4. 倒腳圓邊 將晶圓外緣打圓是為了避免晶圓在接下來 的製程中發生邊緣的破裂、崩角等情形。 5. 雙面研磨 已切片完成的晶片若在平坦度、撓曲度、 厚度上無法達到要求規格時 ，就必須進行 雙面研磨 。 在進行鏡面拋光之前 ，可採此研磨方式先行加工，以 有效改善晶圓的平坦度等 。將漿料流滲於晶圓及研磨 盤之間盤之間 ，，進行研磨工作進行研磨工作。。 漿料中的研磨顆粒越大 ， 晶圓的切削層越深而加工 時間越短 ，因此，應當逐步以選擇適當大小的研磨料 來控制 。 6. 鏡片拋光 在切片 、研磨、圓邊之後進行鏡面拋光處 理。拋光好的晶面回復到單晶本身的特性 。 殘留在晶體表面的晶體缺陷或製程中引入 的缺陷均會有損於SAW元件性能 。 在切片 、研磨、圓邊之後進行鏡面拋光處理。拋光 好的晶面回復到單晶本身的特性 。殘留在晶體表面的 晶體缺陷或製程中引入的缺陷均會有損於SAW(表面 聲波,Surface Acoustic Wave)元件性能 。 7. 清潔 拋光後的晶圓 ，經過濕式化學洗淨法(wet chemical cleaning)清除表面的污染源後 ， 再予以烘乾之後 ，即進入最後的檢驗階段。 8. 檢驗 我們使用各種精密的光學儀器與測量設備