Mg 掺杂ZnSe 电子结构与光学性质的第一性原理研究 - 湖北民族学院.PDF

33 1 ( ) Vol． 33 No． 1 第 卷第 期 湖北民族学院学报 自然科学版 2015 3 Journal of Hubei University for Nationalities (Natural Science Edition) Mar． 2015 年 月 文章编号:1008 － 8423 (2015)01 － 0038 － 05 DOI :10 ． 13501/j ． cnki． 42 － 1569 / n． 2015 ． 03． 011 Mg 掺杂ZnSe 电子结构与光学性质的第一性原理研究 * ， ， ， ， 张昌华 余志强 郎建勋 来国红 李时东 ( ， 445000) 湖北民族学院电气工程系 湖北恩施 : ， ， Mg ZnSe Mg Zn Se 摘要 采用密度泛函理论下的第一性原理平面波赝势方法 结合广义梯度近似 对 掺杂闪锌矿 的 x 1 － x ． :Mg Zn Se ， Se － 4p 电子结构和光学性质进行了研究 结果表明 x 1 － x 是一种直接带隙半导体 其价带顶主要由 态电子 ， ; Se － 4s Zn － 4s ， 构成 位置基本保持不变 导带底主要由 态电子和 态电子共同决定 并且随着掺杂浓度的增大向高 ， ， ， ． 能区方向移动 其能隙宽度随掺杂量的增大而变宽 吸收光谱出现蓝移 计算结果与现有文献符合得很好 : ; ; ; 关键词 第一性原理 硒化锌 电子结构 光学性质 中图分类号:O47 1 文献标志码:A Study on the First － principles of the Electronic Structure and Optical Properties of Mg － doped ZnSe * ZHANG Changhua ，YU Zhiqiang ，LANG Jianxun ，LAI Guohong ，LI Shidong (Department of Electrical Engineering ，Hubei University for Nationalities